公开(公告)号：CN107104053A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610693182.4

申请日：2016-08-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 施信益

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L24/11

摘要： 本发明公开了一种制作晶圆级封装的方法。先提供一载板，再于载板上形成一重分布层，再于重分布层上设置半导体晶粒，将半导体晶粒模塑在一模塑料中，构成一模塑晶圆，接着进行一抛光工艺，抛光去除模塑料一中央部分，形成一凹陷区域及一外围周边环形部分，再去除载板，暴露出重分布层一底面，再于重分布层的底面上形成凸块或锡球。

公开(公告)号：CN107078054A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052467.3

申请日：2015-10-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 兰加·拉奥·阿内帕利 ,  罗伯特·简·维瑟 ,  拉杰夫·巴贾 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  乌代·马哈詹 ,  阿卜杜尔·沃布·穆罕默德

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： C09G1/02 ,  C01B33/149 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C01P2004/88 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1445 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 一种用于化学机械平坦化的浆料，该浆料包含表面活性剂及平均直径介于20nm至30nm之间且具有氧化铈外表面的研磨粒子。这些研磨粒子是使用水热合成工艺所形成。这些研磨粒子占该浆料的0.1重量％至3重量％。

公开(公告)号：CN103620747B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201280029023.4

申请日：2012-05-31

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 大和泰之 ,  高桥洋平 ,  赤塚朝彦

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明的研磨用组合物包含磨料粒和具有亲水性基团的水溶性聚合物。使用本发明的研磨用组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，低于使用通过从本发明的研磨用组合物排除水溶性聚合物而获得的另一组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，且优选57°以下。水溶性聚合物的实例包含多糖类和醇化合物。本发明的另一研磨用组合物包含水溶性聚合物和各具有硅烷醇基团的磨料粒。当将该研磨用组合物在25℃下静置一天时，所述水溶性聚合物以基于1μm2磨料粒的表面积为5,000个以上的分子而被吸附。水溶性聚合物的实例包含具有聚氧化烯链的非离子性化合物(如聚乙二醇)。

公开(公告)号：CN106952868A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611108884.8

申请日：2016-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 傅世刚 ,  李明翰

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/0692

摘要： 一种半导体装置的形成方法，其包括形成介电层于基板上，及牺牲层于介电层上。此方法还包括形成沟槽通过牺牲层及介电层及形成导电结构于沟槽中。此方法还包括移除牺牲层。此外，牺牲层移除之后，导体元件的上表面与介电层的上表面不等高。

公开(公告)号：CN106928859A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511026801.6

申请日：2015-12-31

申请人： 安集微电子科技(上海)有限公司

发明人： 姚颖 ,  荆建芬 ,  蔡鑫元 ,  邱腾飞 ,  杨俊雅

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明公开了一种高浓缩的化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含：(a)研磨颗粒(b)氨基硅烷偶联剂(c)唑类化合物(d)络合剂(e)有机磷酸(f)氧化剂(g)水。本发明的化学机械抛光液用于TSV和IC阻挡层抛光，可以满足各种材料的抛光速率和选择比要求；该抛光液对硅片器件表面有很强的矫正能力，能实现快速平坦化，且可防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高工作效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN103928334B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310014872.9

申请日：2013-01-15

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7851

摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括：衬底，衬底中形成有阱区，所述阱区包括第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分掺杂浓度较低，且更接近衬底的表面；在衬底的表面上形成的鳍状结构；在衬底的表面上形成的隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，仅在鳍与栅堆叠相交的部分下方的区域中形成有穿通阻挡部。

公开(公告)号：CN106795421A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580053309.X

申请日：2015-07-27

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 佐藤刚树 ,  坂部晃一

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明提供能以高研磨速度对单质硅、硅化合物、金属等研磨对象物、特别是包含钨的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。研磨用组合物含有表面固定化有有机酸的胶态二氧化硅、过氧化氢和盐。盐为硝酸铵及硫酸铵中的至少一者。

公开(公告)号：CN106687554A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580052783.0

申请日：2015-08-28

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 石田康登

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明提供在包含多晶硅的基板的研磨中能抑制多晶硅的研磨速度、选择性地对除多晶硅以外的硅化合物等、尤其是氮化硅进行研磨的研磨用组合物及研磨方法。作为研磨用组合物，使用含有磨粒、有机酸、及前述有机酸的共轭碱的研磨用组合物。

公开(公告)号：CN106683990A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510749346.6

申请日：2015-11-06

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 王嫈乔 ,  林昭宏 ,  傅思逸 ,  郑志祥 ,  冯立伟 ,  洪裕祥

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/66553

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括：首先提供一基底，该基底上设有一栅极结构、一第一间隙壁环绕该栅极结构以及一接触洞蚀刻停止层设于该第一间隙壁旁，然后形成一遮盖层于栅极结构、第一间隙壁及接触洞蚀刻停止层上，并接着去除部分遮盖层以形成一第二间隙壁于接触洞蚀刻停止层旁。

公开(公告)号：CN106661430A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580046079.4

申请日：2015-06-25

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 富琳 ,  S.格拉宾 ,  J.戴萨德 ,  李常怡

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212

摘要： 化学机械抛光组合物，其包含具有结合到其中的化学化合物的胶态氧化硅研磨剂颗粒。所述化学化合物可包括：含氮的化合物，例如氨基硅烷；或者，含磷的化合物。用于采用这样的组合物的方法包括将所述组合物施加至半导体基板以移除至少一部分层。