公开(公告)号：CN101937861A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010254643.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN101877368A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010174828.0

申请日：2010-04-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  井坂史人 ,  加藤翔

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/02 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种新的光电转换装置及其制造方法。在具有透光性的基础衬底上形成具有透光性的绝缘层、中间夹着绝缘层而固定的单晶半导体层。在单晶半导体层的表层中或表面上以带状的方式设置多个具有一种导电型的第一杂质半导体层，并且以带状的方式设置多个具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，所述第二杂质半导体层与所述第一杂质半导体层彼此不重叠地交替。设置与第一杂质半导体层接触的第一电极和与第二杂质半导体层接触的第二电极，由此实现背接触型元件，得到基础衬底一侧为受光面的光电转换装置。

公开(公告)号：CN101796613A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106523.7

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101599464A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910141555.7

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤翔 ,  鸟海聪志 ,  井坂史人 ,  大沼英人

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。

公开(公告)号：CN101425449A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810169882.9

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  井坂史人 ,  永野庸治 ,  桃纯平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66772

Abstract: 制造隔着缓冲层而具有单晶半导体层的半导体衬底。对半导体衬底掺杂氢，形成包含大量氢的损伤层。在将单晶半导体衬底和支撑衬底接合在一起之后，加热半导体衬底，在损伤区域中分离单晶半导体衬底。通过从具有单晶半导体层的一侧对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的照射激光束的区域的从表面有深度方向的一部分区域熔化，基于不熔化而留下的单晶半导体层的平面取向进行再晶化，恢复结晶性，并且使单晶半导体层的表面平坦化。

公开(公告)号：CN101409221A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810169390.X

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  桃纯平 ,  井坂史人 ,  比嘉荣二 ,  古山将树 ,  下村明久

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B23K26/03 ,  B23K26/083 ,  B23K26/12 ,  B23K26/127 ,  B23K26/14 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。用通过激励氢气而产生并用离子掺杂设备加速的离子来照射单晶半导体衬底，从而形成包含大量氢的损伤区。在接合单晶半导体衬底和支承衬底之后，加热单晶半导体衬底，以沿损伤区分离。在加热与单晶半导体衬底分离的单晶半导体层的同时，采用激光束来照射该单晶半导体层。通过经由激光束照射熔融，单晶半导体层经过再单晶化，从而复原其结晶度，并对单晶半导体层的表面进行平面化。

公开(公告)号：CN118715885A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022270.X

申请日：2023-02-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  井坂史人 ,  大贯达也 ,  山崎舜平

IPC: H10B41/70 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。在该半导体装置中，第一晶体管包括从下方依次层叠的第一导电体、第一绝缘体、第一金属氧化物、第二绝缘体及第二导电体以及覆盖第一金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第三导电体及第四导电体，第二晶体管包括从下方依次层叠的第五导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第三绝缘体及第六导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第七导电体及第八导电体，第三晶体管包括从下方依次层叠的第九导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第四绝缘体及第十导电体、第八导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第十一导电体，包含可具有铁电性的材料的电容器的一个电极与第三导电体及第六导电体电连接。

公开(公告)号：CN117403206A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310835313.8

申请日：2023-07-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  川上祥子 ,  井坂史人 ,  惠木勇司

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/34 ,  C23C16/455

Abstract: 提供一种新颖金属氧化物的沉积方法。使用分解温度高的前驱体，在将衬底加热至300度以上且500度以下的同时沉积金属氧化物。优选的是，在沉积中，在含氧气氛下作为杂质去除处理进行等离子体处理、微波处理或热处理。杂质去除处理也可以在照射紫外光的同时进行。金属氧化物通过反复交替前驱体的引入和氧化剂的引入来沉积。例如，优选的是，每进行前驱体的引入5次以上且10次以下时进行杂质去除处理。

公开(公告)号：CN116075893A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180061509.5

申请日：2021-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  国武宽司 ,  惠木勇司 ,  井坂史人

IPC: G11C7/08

Abstract: 提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。

公开(公告)号：CN102646698B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。