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公开(公告)号：CN112041481A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201880092808.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/26 , H01L21/033 , H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例涉及用于使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将非晶碳层沉积到基板上、包括沉积在所述基板上的先前形成的层上方的方法，具体而言，本文中描述的方法利用RF AC功率和脉冲DC功率的组合来产生等离子体，所述等离子体以sp3(类金刚石)碳与sp2(类石墨)碳的高比率来沉积非晶碳层。所述方法还提供了较低处理压力、较低处理温度和较高处理功率，以上各项中的每一者单独地或组合地可进一步增大在所沉积的非晶碳层中sp3碳的相对分数。由于较高的sp3碳分数，与通过常规方法沉积的非晶碳层相比，本文中描述的方法提供了具有改进的密度、刚度、蚀刻选择性和膜应力的非晶碳层。
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公开(公告)号：CN119856244A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380063402.3
申请日：2023-09-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于在处理腔室中形成等离子体的方法和设备使用环形激发器，环形激发器由第一导电材料形成，环形激发器具有电连接到提供RF电流的RF功率源的第一端和连接到接地的第二端；和环形施加器，环形施加器与环形激发器物理分离，环形施加器由第二导电材料形成，第二导电材料具有至少一个角缝，角缝具有形成由高K介电材料分隔的上重叠部分和下重叠部分的角度，高K介电材料被配置为连同环形施加器的电感提供电容以形成谐振电路，谐振电路被配置成当环形激发器流动RF电流时谐振，RF电流感应地激发环形施加器至谐振频率，谐振频率从环形施加器形成方位角等离子体。
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公开(公告)号：CN118402055A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082984.5
申请日：2022-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·大卫·卡杜奇 , 肯尼思·S·柯林斯 , 迈克尔·R·赖斯 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 西尔韦斯特·安东尼·罗德里格斯 , 杨扬
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文提供用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：基座，具有经配置以支撑基板的第一侧和与第一侧相对的第二侧；多个基板升降杆，延伸穿过基座，其中多个第一间隙设置在多个基板升降杆与基座中的多个基板升降杆开口的相应基板升降杆开口之间；及真空管线，从多个基板升降杆开口延伸并且经配置以抽空多个基板升降杆开口。
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公开(公告)号：CN111954921B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980024613.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033 , C23C16/455
Abstract: 此处的实施例提供一种使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积非晶碳层的方法，及由此形成的硬掩模。在一个实施例中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将基板定位在基板支撑件上，基板支撑件安置于处理腔室的处理容积中；使包含碳氢化合物气体及稀释气体的处理气体流至处理容积中；将处理容积维持在小于约100mTorr的处理压力下；通过施加第一功率至处理腔室的一或更多功率电极之一者，点燃并维持处理气体的沉积等离子体；将基板支撑件维持在小于约350℃的处理温度下；将基板的表面暴露至沉积等离子体；及在基板的表面上沉积非晶碳层。
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公开(公告)号：CN110622280B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880030287.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116018665A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202280005747.9
申请日：2022-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供的实施例总体包括用于产生对处理腔室中的基板进行等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统和方法。一个实施例包括波形产生器，所述波形产生器具有电压源电路系统、耦合在电压源电路系统与波形产生器的第一输出节点之间的第一开关、以及耦合在第一输出节点与电气接地节点之间的第二开关，第一输出节点被配置为耦合到腔室。波形产生器还包括耦合在电压源电路系统与波形产生器的第二输出节点之间的第三开关、以及耦合在第二输出节点与电气接地节点之间的第四开关，第二输出节点被配置为耦合到腔室。
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公开(公告)号：CN114207785A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054045.0
申请日：2020-10-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包含：将低频RF功率或DC功率中的至少一者施加到设置为邻接处理空间的上部电极，所述上部电极由高二次电子发射系数材料形成；在处理空间中产生等离子体，所述等离子体包含离子；用离子轰击上部电极以使上部电极发射电子并形成电子束；以及将偏压功率施加到设置在处理空间中的下部电极，以使电子束中的电子朝向下部电极加速，偏压功率包含低频RF功率或高频RF功率中的至少一者。
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公开(公告)号：CN114080661A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048224.3
申请日：2020-06-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 形成集成电路结构的方法与设备，包括：输送工艺气体至工艺腔室的工艺空间；将低频RF功率施加到设置在工艺空间中由高二次电子发射系数材料形成的电极；在工艺空间中产生包含离子的等离子体；用离子轰击电极，以引起电极发射电子并且形成电子束；和使介电材料与电子束接触以固化介电材料，其中介电材料是可流动化学气相沉积产物。在实施方式中，固化通过降低介电材料的氧含量和增加介电材料的氮含量来使介电材料稳定。
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公开(公告)号：CN111954921A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201980024613.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033 , C23C16/455
Abstract: 此处的实施例提供一种使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积非晶碳层的方法，及由此形成的硬掩模。在一个实施例中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将基板定位在基板支撑件上，基板支撑件安置于处理腔室的处理容积中；使包含碳氢化合物气体及稀释气体的处理气体流至处理容积中；将处理容积维持在小于约100mTorr的处理压力下；通过施加第一功率至处理腔室的一或更多功率电极之一者，点燃并维持处理气体的沉积等离子体；将基板支撑件维持在小于约350℃的处理温度下；将基板的表面暴露至沉积等离子体；及在基板的表面上沉积非晶碳层。
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