公开(公告)号：CN112913140B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980069837.2

申请日：2019-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·恩古耶 ,  M·G·查芬 ,  L·刘 ,  A·拉亚罗思

IPC: H03H7/01 ,  H03H1/00 ,  H01J37/32

Abstract: 一种用于基板处理腔室的射频(RF)滤波器系统，包含耦合至处理腔室的第一元件的第一RF滤波器，及耦合至处理腔室的第一元件的第二RF滤波器。RF滤波器的各者包含第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第三滤波器级，耦合至第二滤波器级且配置成拒绝第一频率。再者，第一滤波器级包含第一电感器及第一电容，第二滤波器级包含第二电感器及第二电容，第三滤波器级包含第三电感器及第三电容。

公开(公告)号：CN112913140A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980069837.2

申请日：2019-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·恩古耶 ,  M·G·查芬 ,  L·刘 ,  A·拉亚罗思

IPC: H03H7/01 ,  H03H1/00 ,  H01J37/32

Abstract: 一种用于基板处理腔室的射频(RF)滤波器系统，包含耦合至处理腔室的第一元件的第一RF滤波器，及耦合至处理腔室的第一元件的第二RF滤波器。RF滤波器的各者包含第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第二频率；及第三滤波器级，耦合至第二滤波器级且配置成拒绝第一频率。再者，第一滤波器级包含第一电感器及第一电容，第二滤波器级包含第二电感器及第二电容，第三滤波器级包含第三电感器及第三电容。

公开(公告)号：CN119856244A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063402.3

申请日：2023-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  A·恩古耶 ,  杨扬 ,  S·甘塔 ,  F·斯李维亚 ,  郭岳 ,  L·刘

IPC: H01J37/32

Abstract: 用于在处理腔室中形成等离子体的方法和设备使用环形激发器，环形激发器由第一导电材料形成，环形激发器具有电连接到提供RF电流的RF功率源的第一端和连接到接地的第二端；和环形施加器，环形施加器与环形激发器物理分离，环形施加器由第二导电材料形成，第二导电材料具有至少一个角缝，角缝具有形成由高K介电材料分隔的上重叠部分和下重叠部分的角度，高K介电材料被配置为连同环形施加器的电感提供电容以形成谐振电路，谐振电路被配置成当环形激发器流动RF电流时谐振，RF电流感应地激发环形施加器至谐振频率，谐振频率从环形施加器形成方位角等离子体。