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公开(公告)号：CN114207785A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054045.0
申请日：2020-10-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包含：将低频RF功率或DC功率中的至少一者施加到设置为邻接处理空间的上部电极，所述上部电极由高二次电子发射系数材料形成；在处理空间中产生等离子体，所述等离子体包含离子；用离子轰击上部电极以使上部电极发射电子并形成电子束；以及将偏压功率施加到设置在处理空间中的下部电极，以使电子束中的电子朝向下部电极加速，偏压功率包含低频RF功率或高频RF功率中的至少一者。
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