公开(公告)号：CN110024132A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780071771.1

申请日：2017-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  马飞跃 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  詹·跃·王 ,  常梅

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

Abstract: 形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。

公开(公告)号：CN104813444B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380053240.1

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/08 ,  C23C16/50

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN106133878A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580018220.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  柳尚澔 ,  大东和也 ,  朴基振 ,  吴凯 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。

公开(公告)号：CN113678231B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN116391118A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202180070752.3

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙阳阳 ,  傅晋欣 ,  大东和也 ,  卢多维克·葛德特

IPC: G01M11/04

Abstract: 本公开案的实施方式关于用于增强、虚拟及/或混合现实应用的光学装置。在一或多个实施方式中，光学装置计量系统经配置以测量光学装置的多个透视指标。

公开(公告)号：CN116324577A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180065291.0

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙阳阳 ,  傅晋欣 ,  大东和也 ,  卢多维克·葛德特

IPC: G02B27/01

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于增强、虚拟和/或混合现实应用的光学装置。在一个或多个实施方式中，光学装置计量系统被构造为针对光学装置测量多个第一指标和一个或多个第二指标，一个或多个第二指标包括显示泄漏指标。

公开(公告)号：CN116209886A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180063867.X

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙阳阳 ,  傅晋欣 ,  大东和也 ,  卢多维克·葛德特

IPC: G01M11/04

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于增强、虚拟和/或混合现实应用的光学装置。在一个或多个实施方式中，光学装置计量系统被构造为测量光学装置的多个透视(see‑through)指标。

公开(公告)号：CN115039202A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180010372.0

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·H·W·余 ,  佐佐木信之 ,  大东和也

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用于二硅化钴的形成的方法和设备。本公开内容的一些实施方式提供了原位形成二硅化钴的方法。所得膜比通过类似的异位法形成的膜更光滑，并且具有更低的电阻和电阻率。本公开内容的一些实施方式提供了用于在工艺之间无空气间断地执行所述方法的设备。

公开(公告)号：CN113169096A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980078769.6

申请日：2019-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李鲁平 ,  陈世忠 ,  大东和也 ,  董琳 ,  陈哲波 ,  杨逸雄 ,  史蒂文·洪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成具有按比例缩放的有效氧化物厚度的半导体结构的方法和设备。在实施方式中，一种方法包括以下步骤：在氮化钛(TiN)层的第一表面的顶上沉积具有第一表面的非晶硅覆盖层，其中氮化钛层在设置在膜堆叠物内的高k介电层的第一表面的顶上；使非晶硅覆盖层的第一表面与含氮气体接触；以及将膜堆叠物退火。

公开(公告)号：CN106133878B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201580018220.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  柳尚澔 ,  大东和也 ,  朴基振 ,  吴凯 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。