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公开(公告)号:CN115831240A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202211573477.X
申请日:2022-12-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提供了一种建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器,该方法包括:根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器,确定酸分子的初始数量,根据碱淬灭剂的浓度和泊松生成器,确定碱分子的初始数量,根据聚合物树脂的浓度和泊松生成器,确定聚合物树脂中保护基团的初始数量;确定步骤,根据当前时刻保护基团的分子数量,确定下一时刻保护基团的分子数量,根据当前时刻酸分子的数量,确定下一时刻酸分子的数量,根据当前时刻碱分子的数量,确定下一时刻碱分子的数量;重复确定步骤多次,直到当前次的下一时刻为光刻胶烘烤的结束时刻。该方法解决了现有技术中在进行纳米级别的光刻建模时,忽视分子的随机性的技术问题。
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公开(公告)号:CN115731251A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202211521347.1
申请日:2022-11-30
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提供了一种GDS II的分割方法、装置、计算机可读存储介质和电子设备。获取GDS II文件,GDS II文件包括版图区域;根据运算需求,确定是否需要对GDS II文件中的版图区域进行分割;在需要对GDS II文件中的版图区域进行分割的情况下,将GDS II文件中的版图区域平均分割为四份,得到多个子版图区域。该方案中,通过将具有大量多边形的GDS II文件的版图区域进行分割,可以得到较小的子版图区域,这样子版图区域中的多边形数量也较少,可以对多个GDS II文件的子版图区域同时进行多线程运算,无需对单个大版图进行单线程运算,进而降低了时间成本,可以有效提升处理GDS II文件的效率。
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公开(公告)号:CN115587545A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211471556.X
申请日:2022-11-23
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本申请提出了一种用于光刻胶的参数优化方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:采集实验数据,并对实验数据进行缺陷检测,获取通过缺陷检测的有效实验数据;基于有效实验数据,采用深度学习算法构建光刻胶减量模型;基于光刻胶减量模型进行预测,得到光刻胶减量模型的预测结果;当预测结果为合格时,对光刻胶减量模型进行反向训练;根据反向训练后的光刻胶减量模型,确定旋涂目标对应的工艺参数。本申请采用深度学习算法根据实际旋涂工艺参数构建光刻胶减量模型,并对模型进行优化,准确地对光刻胶减量进行预测,得到光刻胶目标厚度对应的所需工艺参数,从而有效提高光刻胶减量效率和适用性,并降低晶圆的制造成本。
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公开(公告)号:CN114139487A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111241073.6
申请日:2021-10-25
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06F8/20 , G06F8/71
Abstract: 本申请提供了一种版图可视化开发工具及封装、使用方法,版图可视化开发工具包括版图可视化模块以及版图处理算法模块,版图可视化模块包括版图显示模块、配置窗口模块、版图编辑模块以及图形测量模块;版图处理算法模块包括文件模块、图形模块、异常处理模块以及设计规则检查模块。本申请结合计算光刻仿真等研发的实际需要,打造出拥有版图处理算法模块和版图可视化模块的开发工具包,以支持工程师二次开发版图可视化应用。解决了目前版图可视化仿真软件基础上,用户无法根据自身需求开发独立的版图可视化应用的问题。
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公开(公告)号:CN114035409A
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202111388897.6
申请日:2021-11-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请公开了一种显影震荡装置、显影装置、显影方法、制造方法及设备。该显影震荡装置包括震荡控制装置以及两两连接的计算控制装置、水平探测装置和机械臂;震荡控制装置用于控制机械臂运动的速度、频率及方向;水平探测装置用于获取印制电路板基板的偏移数据,将偏移数据发送给计算控制装置,并在计算控制装置的控制下调整机械臂的位姿参数;计算控制装置用于根据偏移数据计算出水平探测装置的调整参数,基于调整参数控制水平探测装置调整机械臂的位姿参数。本申请的显影震荡装置能够通过控制机械臂的运动的频率与速度调整基板在显影液中的震荡参数,改善印制电路板在生产过程中由于光的衍射、漫反射等效应所导致的图像边缘有毛边的缺陷。
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公开(公告)号:CN113849964A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202111023023.0
申请日:2021-09-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提供一种极紫外光刻中掩模缺陷控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括:获取极紫外光刻掩模主体图形;确定在所述掩模主体图形边缘添加冗余图形的区域;基于遗传算法在所述区域中确定所述冗余图形的添加方式;根据所述冗余图形的添加方式在所述区域中添加冗余图形。相较于现有技术,通过本方案可以快速地挑选出符合要求的一组或几组冗余图形的添加方式,能够快速对极紫外光刻中掩模缺陷进行更细微的调节及改善,节省了人力物力。
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公开(公告)号:CN117991592A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202311761151.4
申请日:2023-12-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供一种旋涂方法,包括:提供晶圆;将所述晶圆以第一转速转动时,向所述晶圆表面的中心滴入光刻胶,并在滴入光刻胶后,使所述晶圆以所述第一转速转动第一时间段;控制所述晶圆以第二转速转动第二时间段后,控制所述晶圆以第三转速转动第三时间段,所述第三转速大于所述第二转速;控制所述晶圆由所述第三转速转变到第四转速转动后,再从所述第四转速转变到第五转速并转动第五时间段,在所述晶圆的表面形成光刻胶层;解决高粘度光刻胶在转速过大或者过小情况下,晶圆表面堆积光刻胶引起的膜厚和均匀性差等问题,提高光刻工艺的质量。
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公开(公告)号:CN113589642B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202110757830.9
申请日:2021-07-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明能够提供集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质,该方法可包括如下步骤。对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正,以得到第一仿真图形。基于刻蚀第一仿真图形的过程对第一仿真图形进行修正,以得到第二仿真图形。基于化学机械平坦化处理第二仿真图形的过程对第二仿真图形进行修正,以得到第三仿真图形。通过对第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。根据所有图形片段的形貌特征预测目标线条图形是否存在开路缺陷。本发明结合了光学邻近效应、刻蚀、化学机械平坦化等多种工艺的涨落因素,实现一种抗工艺涨落的(56)对比文件Rakesh Kumar Kuncha等."OPCverification considering CMP inducedtopography"《.PROCEEDINGS OF SPIE》.2015,第9661卷第1-7页.
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公开(公告)号:CN112765893B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202110110769.9
申请日:2021-01-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/27 , G06N3/126 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法、系统、设备及介质,所述掩模侧壁角控制方法包括:在掩模主体图形边缘添加冗余图形;基于遗传算法调控所述冗余图形的添加方式,以确定目标冗余图形添加方式;其中,一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度。通过引入遗传算法,整个流程可快速,高效地确定一组、或几组目标冗余图形添加方式,其中,一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度,以实现对精细位置的侧壁角的角度的精准调节,满足光刻工程中特殊工艺对侧壁角的需求,仿真计算可以快速地挑选出比较符合要求的一组或几组冗余图形添加方式,节省人力、物力及财力。
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公开(公告)号:CN115933333A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202310088349.4
申请日:2023-01-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置,根据预设的参数数量选择套刻误差补偿模型中的模型参数,获得配置后的套刻误差补偿模型。对套刻误差量测数据、配置后的模型和配置后的模型的参数值进行计算,以获取表征量,并将表征量和套刻误差量测数据进行求差处理,获得表征残值。将表征残值进行归一化处理,获得配置后模型的评价参数。根据预设的参数数量选择不同的模型参数,以获取配置后的模型的集合,并对配置后的模型的集合进行迭代处理,获得评价参数集合。根据评价参数集合中最小的评价参数,获得优化后的套刻误差补偿模型。评价参数最小的模型参数配置最优,针对性的提高了模型的补偿精度。
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