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公开(公告)号：CN116288694A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310346330.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延炉供气结构及供气系统，其中，外延炉供气结构包括第一供气管道，与传送室连接，用于为传送室供应惰性气体；第二供气管道，与反应室进气端连接，用于为反应室供应初始载气；第一回气管道，其两端分别与传送室和第二供气管道连接；该外延炉供气结构设置第一回气管道连接传送室和第二供气管道，使得第二供气管道最终能为反应室输送由其原始提供的初始载气和第一回气管道提供的惰性气体构成的气浮混合载气，即利用了需要直接排放至废气处理设备中的传送室内的惰性气体来填补部分载气，有效降低整个设备的气体成本。
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公开(公告)号：CN114938549A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210749237.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B6/40
Abstract: 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114934263A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114540800A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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公开(公告)号：CN114023646B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210005520.6
申请日：2022-01-05
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：氮化处理；预铺Al；生长AlN缓冲层：依次生长第一AlN缓冲层、第二AlN缓冲层和第三AlN缓冲层；生长AlGaN缓冲层：依次生长第一AlyGa1‑yN缓冲层和第二AlyGa1‑yN缓冲层；生长自掺碳高阻值GaN外延层；生长GaN沟道层；生长AlyGa1‑yN势垒层；生长GaN帽层。本申请通过优化工艺，可以大幅降低AlN缓冲层以及自掺碳高阻值GaN外延层的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN114334738A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111658267.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备，用于在外延生长前对衬底进行预热处理，所述用于外延工艺的衬底预热装置包括：基座；衬底取放台，用于装载并固定衬底；衬底加热器，用于对衬底进行预热处理，所述衬底加热器设置在所述衬底上方，所述衬底加热器固定连接在所述基座上；升降驱动组件，用于驱动所述衬底取放台做升降运动，使衬底靠近或远离所述衬底加热器。所述用于外延工艺的衬底预热装置通过将衬底加热器设置在衬底上方，使得衬底加热器发出的热量直接作用于衬底上表面，从而使衬底上表面的温度达到外延工艺的温度要求。
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公开(公告)号：CN114082729B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
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