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公开(公告)号：CN112436087A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010656452.0
申请日：2020-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
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公开(公告)号：CN110739394A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910529886.1
申请日：2019-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 金海光
Abstract: 本发明实施例涉及用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含经安置于第一电极上的第一非晶切换结构。缓冲结构安置于所述第一非晶切换结构上。第二非晶切换结构安置于所述缓冲结构上。第二电极安置于所述第二非晶切换结构上，其中所述第一非晶切换结构及所述第二非晶切换结构经配置以取决于从所述第一电极到所述第二电极的电压是否超过阈值电压而切换于低电阻状态与高电阻状态之间。
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公开(公告)号：CN109817662A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811366380.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/528 , H01L45/00
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构、存储器装置及用于形成半导体结构的方法。半导体结构包含第一导电层和第二导电层，以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的存储器装置。所述存储器装置包含顶部电极、邻近于所述第一导电层的底部电极，以及所述顶部电极与所述底部电极之间的相变材料。所述底部电极包含第一部分和所述第一部分与所述第一导电层之间的第二部分。
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公开(公告)号：CN106158899B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201510148819.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置在离子库区上方的顶电极。本发明也提供了用于制造RRAM单元的集成电路或半导体结构的方法。本发明还涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。
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公开(公告)号：CN109560040A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811108925.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本申请涉及一种包含用以增进电极粘合性的粘合层的集成电路及其形成方法。一些实施例中，集成电路包含连通柱介电层、粘合层及第一电极。粘合层上覆连通柱介电层，第一电极上覆并直接接触粘合层。粘合层在第一电极接触粘合层的界面处具有第一表面能，第一电极在界面处具有第二表面能。并且，第一表面能大于第二表面能，用以增进粘合性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687791B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202010411079.2
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。
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公开(公告)号：CN113314550B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010960076.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括设置在衬底内的图像传感器元件。衬底包含第一材料。图像传感器元件包括有源层，有源层包含与第一材料不同的第二材料。缓冲层设置在有源层与衬底之间。缓冲层沿着有源层的外侧壁及底表面延伸。顶盖结构上覆在有源层上。有源层的外侧壁在顶盖结构的外侧壁之间在侧向上间隔开，使得顶盖结构在有源层的外边缘之上连续地延伸。
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公开(公告)号：CN112670407B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010639969.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。
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公开(公告)号：CN113113533B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110255835.1
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，该存储器单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括覆盖在底部电极上的下部交换层和覆盖在下部交换层上的上部交换层。下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂的介电材料。本申请的实施例还涉及集成芯片、存储器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112185843B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911016170.8
申请日：2019-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定真空室的壳体。晶圆夹盘位于所述壳体中且载体晶圆位于所述晶圆夹盘上。相机集成在所述载体晶圆上以使所述相机面对所述壳体的顶部。所述相机被配置成以无线方式拍摄所述壳体内的所关注物体的图像。位于所述壳体外部的是无线接收器。所述无线接收器被配置成在所述真空室被密封的同时从所述相机接收所述图像。
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