公开(公告)号：CN105679906A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610155125.0

申请日：2016-03-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王文娟 ,  吕奇孟 ,  宋彬 ,  彭绍文 ,  江方 ,  姚素霞 ,  温华炽

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本发明通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。

公开(公告)号：CN209709011U

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201821866919.9

申请日：2018-11-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  吕奇孟 ,  李俊贤 ,  刘英策 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/62

Abstract: 本实用新型公开了一LED发光芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的至少一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层的所述P型连接针通道后被电连接于所述透明导电层，在一列所述N型电极连接针中，至少一个所述N型电极连接针与两个相邻所述N型电极连接针的间距不同，在一列所述P型电极连接针中，至少一个所述P型电极连接针与两个相邻所述P型电极连接针的间距不同，通过这样的方式，所述LED发光芯片的电流能够被均匀地分布。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205428991U

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201620103259.3

申请日：2016-02-02

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈亮 ,  李俊贤 ,  吴奇隆 ,  魏振东 ,  刘英策 ,  李小平 ,  邬新根 ,  黄新茂 ,  蔡立鹤 ,  吕奇孟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  林志伟 ,  姜伟 ,  卓祥景 ,  方天足

IPC: H01L33/40

Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本实用新型包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本实用新型的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。

公开(公告)号：CN209709010U

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201821866707.0

申请日：2018-11-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 魏振东 ,  吕奇孟 ,  李俊贤 ,  刘英策

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至少一P型电极延伸触角，所述N型电极延伸触角和所述P型电极延伸触角相互对应，以便于扩展电流，从而使得电流密度更均匀，进而提高所述半导体芯片的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205645856U

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201620282725.9

申请日：2016-04-07

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈亮 ,  李俊贤 ,  吕奇孟 ,  魏振东 ,  刘英策 ,  李小平 ,  黄新茂 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  林志伟 ,  姜伟 ,  卓祥景 ,  方天足

IPC: H01L33/14

Abstract: 一种正装GaN LED芯片，涉及发光二极管LED的生产技术领域。在衬底的同一侧依次各外延层和透明导电层、电流阻挡层，在电流阻挡层上分别布置P电极与P电极连接的P电极扩展条，在电流阻挡层上分别布置N电极与N电极连接的N电极扩展条，在P电极扩展条下方，自电流阻挡层至透明导电层分布若干P电极注入孔道，在N电极扩展条下方，自电流阻挡层至N‑GaN层分布若干N电极流出孔道。在同样尺寸的芯片下，本实用新型能有效地增加的发光面积，减少同驱动电流下的电流密度，减少droop效应，从而达到降低电压，提升亮度的目的。

公开(公告)号：CN205542859U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201620209079.3

申请日：2016-03-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王文娟 ,  吕奇孟 ,  宋彬 ,  彭绍文 ,  江方 ,  姚素霞 ,  温华炽

IPC: H01L33/22

Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本实用新型通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。