公开(公告)号：CN105679906A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610155125.0

申请日：2016-03-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王文娟 ,  吕奇孟 ,  宋彬 ,  彭绍文 ,  江方 ,  姚素霞 ,  温华炽

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本发明通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。

公开(公告)号：CN205542859U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201620209079.3

申请日：2016-03-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王文娟 ,  吕奇孟 ,  宋彬 ,  彭绍文 ,  江方 ,  姚素霞 ,  温华炽

IPC: H01L33/22

Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本实用新型通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。