公开(公告)号：CN1120250C

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN00112548.6

申请日：2000-09-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  吴迪 ,  凌惠琴 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: C30B30/02 ,  H01L41/22 ,  H01L49/00

Abstract: 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法，通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中，对湿膜热分解转变成无定型态的干膜，在后续的高温退火结晶过程中，引入直流低电场，来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄膜材料在几种不同衬底的取向生长来看，效果非常明显，特别是对在铂涂层硅衬底或硅衬底上沉积的钛酸铋薄膜，能诱导出极强的c轴取向。

公开(公告)号：CN1383185A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02113085.X

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器:激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石－氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上,再进行激光辐照,将GaN和蓝宝石分离开来后,再以加热方法将基片粘接层分离。

公开(公告)号：CN1381897A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02113005.1

申请日：2002-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈波 ,  郑有炓 ,  李卫平 ,  周玉刚 ,  毕朝霞 ,  张荣 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  朱顺明 ,  韩平

IPC: H01L27/12 ,  G11C11/22

Abstract: 基于AlxGa1－xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法,在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1－xN/GaN调制掺杂异质结构,然后在AlxGa1－xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜,最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1－xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1－xN界面的高温稳定性,避免了普通的铁电体/SiMFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时,这种结构以AlxGa1－xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子,有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。

公开(公告)号：CN1065571C

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN96117210.X

申请日：1996-12-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  胡卫生 ,  冯端

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场，使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列，从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相沉积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一，两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的，在10V/cm量级。

公开(公告)号：CN1138231A

公开(公告)日：1996-12-18

申请号：CN95111053.5

申请日：1995-05-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘俊民 ,  朱永元 ,  祝世宁 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: H01S3/109 ,  G02F1/37

Abstract: 一种非临界位相匹配的光波导材料，其特征是选用具有大非线性系数d13，高折射率的Ba2NaNb5O15(BNN)为外延薄膜材料而采用低折射率，低色散的KT:OPO4为衬底材料，在光波导中以实现激光倍频的非临界位相匹配和激光倍频输出。

公开(公告)号：CN103426920A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310392148.X

申请日：2013-09-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢伟 ,  徐波 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L29/51 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易失性电荷俘获型存储器件的结构为半导体基片上顺序生长隧穿层Al2O3/存储层薄膜(CuO)X(Al2O3)1-x/阻挡层Al2O3，(CuO)x(Al2O3)1-x为存储层，电荷存储材料(CuO)X(Al2O3)1-x通过退火得到的CuO纳米微晶起到存储介质材料的作用。

公开(公告)号：CN102769101A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210235824.8

申请日：2012-07-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 李润 ,  夏奕东 ,  唐时宇 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种GeTe4相变记忆元件，选用GeTe4薄膜为相变记忆存储材料，所述GeTe4薄膜在室温下为非晶态；相变记忆元件的基本构型为三层结构，最上面一层为顶电极膜（1），中间一层为GeTe4薄膜（2），下面一层为底电极膜（3），由顶电极膜（1）和底电极膜（3）分别接出用铜丝或金丝制成引线；GeTe4薄膜（2）厚120±30纳米；三层结构制备相变记忆元件沉积在衬底（5）上。针对相变记忆存储器的发展，提供一种新型相变记忆材料GeTe4薄膜及其制备方法，得到GeTe4相变记忆元件。

公开(公告)号：CN101819995B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201010147721.7

申请日：2010-04-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  高立刚 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。

公开(公告)号：CN101476104B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810243410.3

申请日：2008-12-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  吕仕成 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  G11B9/06

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，基于纳米晶高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜，其中0.2≤x≤0.9，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜有如下特点：当x值较小时，其可以在高温快速热退火处理后保持非晶；而当x值较大时，高温快速热退火可以让其部分结晶析出ZrO2纳米晶，同时其又是一种高介电系数、大禁带宽度的绝缘体，替代SiO2后可以减小器件尺寸的同时保持优良的绝缘性，因此可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜的制备方法，该方法包括：使用合适配比的ZrO2和SiO2烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备高介电系数锆硅氧薄膜。

公开(公告)号：CN101527349B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910029312.4

申请日：2009-04-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 蒋坤 ,  夏奕东 ,  徐波 ,  国洪轩 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。