公开(公告)号：CN1381870A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02113080.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。

公开(公告)号：CN1176483C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02113085.X

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用准分子激光器：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开米，得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上，再进行激光辐照，将GaN和蓝宝石分离开来后，再以加热方法将基片粘接层分离。

公开(公告)号：CN1389904A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02113084.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/34

Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法,用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层;在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜,利用光刻方法蚀刻出一定的图形,对于平行长条状,掩摸区宽度2－20μm,GaN窗口区宽度0.2－20μm,平行长条状的开口方向是沿GaN的[1100]取向;对于正六边形的开口,使GaN的[1100]取向垂直于正六边形的边,然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN,直至掩模层被GaN铺满,继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低,所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延,可得到位错密度更低的GaN薄膜。

公开(公告)号：CN100428410C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN02112514.7

申请日：2002-01-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  卢佃清 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若链 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/00

Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中，将单路金属镓源-HCl-N2管道分成多路金属镓源-HCl-N2管道，改善反应物GaCl-N2的传输均匀性，并将反应物GaCl-N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀，可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm，而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。

公开(公告)号：CN1174470C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02113084.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/34

Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2-20μm，GaN窗口区宽度0.2-20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1T00]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1T00]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低，所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延，可得到位错密度更低的GaN薄膜。

公开(公告)号：CN1140915C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02113080.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。

公开(公告)号：CN1384533A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02112514.7

申请日：2002-01-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  卢佃清 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若链 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/00

Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置,在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中,将单路金属镓源－HCl－N2管道分成多路金属镓源－HCl－N2管道,改善反应物GaCl－N2的传输均匀性,并将反应物GaCl－N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀,可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm,而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。

公开(公告)号：CN1383185A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02113085.X

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器:激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石－氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上,再进行激光辐照,将GaN和蓝宝石分离开来后,再以加热方法将基片粘接层分离。