公开(公告)号：CN105514135A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610026413.6

申请日：2016-01-16

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 谢斌 ,  秦盼 ,  张乐银 ,  向圆 ,  李彪 ,  陈计学 ,  赵建强 ,  张伟

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理；b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合；c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理，去除图像传感器芯片的背面衬底；d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层；e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层；f)在抗反射膜层上制备反光膜层；g)释放图像传感器芯片上的光感应元件；h)释放图像传感器芯片上的焊盘，得到最终的背照式图像传感器；本发明工艺简单易于实现，可适用于批量生产，采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘，使得后序封装中的引线键合工艺实现简单，节省了封装成本。

公开(公告)号：CN105226625A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510664514.1

申请日：2015-10-14

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  陈洁 ,  陈计学 ,  张海峰 ,  李苏苏 ,  高博

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开一种双路双向ESD保护电路，设于被保护集成电路的输入端，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管，第一二极管与第二二极管的负极对接，第三二极管与第四二极管的负极对接，第一二极管的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管的正极接地；所述第二二极管与第三二极管的正极相连，第二二极管与第三二极管的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；每个二极管的反向击穿电压均小于被保护集成电路的击穿电压；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。

公开(公告)号：CN104198909A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410465727.7

申请日：2014-09-15

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 潘结斌 ,  陈计学 ,  吕东锋

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法，包含以下步骤：a）将台面雪崩二级管构成反向工作电气回路，并在回路中串联电流表，台面雪崩二极管的两端分别并联电压表与电容表；b）确定台面雪崩二极管的反向击穿电压VB；c）对台面雪崩二极管施加不同的反向工作电压；d）读取反向工作电压为Vn时的电容值Cn；e）重复步骤c，读取反向工作电压为Vn+1时的电容值Cn+1；f）根据公式计算台面雪崩二极管管芯面积，由于台面雪崩二极管在反向工作状态下，耗尽层势垒电容可用一定面积耗尽层内的电荷增量与反向偏压变化量的比值来表示，所以根据公式就可以进一步计算出台面雪崩二极管管芯的有源层面积，此方法测量准确，能够消除人为因素带来的误差。

公开(公告)号：CN103594445A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310588210.2

申请日：2013-11-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 潘结斌 ,  陈计学 ,  展明浩 ,  房立峰 ,  朱小燕 ,  吕东锋

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。

公开(公告)号：CN102915974A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210425955.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  吕东锋 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  简崇玺

IPC: H01L21/8248

Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。