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公开(公告)号：CN102998037B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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公开(公告)号：CN118954420A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976446.1
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件制备方法，它包括以下步骤：在SOI硅片（1）上设置敏感结构层(2)，在双抛硅片（4）上表面一侧制作引线结构层（9），在双抛硅片（4）下表面一侧制备一组金属PAD点（10），将双抛硅片（4）与SOI硅片（1）键合在一起。本发明结构简单，实施方便，降低器件的工艺难度、加工成本和可靠性风险，可以实现MEMS器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN115793515B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211341060.0
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G05B19/042 , G02B26/08
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。
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公开(公告)号：CN116062678A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211515527.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置，它包括晶圆（1），其在晶圆（1）上通过第二镂空区域（5）和第一镂空区域（2），形成微镜面（3）和可动框架（10），通过第一镂空区域（2）和第二镂空区域（5）上的纵向开口（2a）和横向开口（5a）形成纵向扭转梁（4）和横向扭转梁（6），在横向扭转梁（6）。本发明利用扩散低阻硅代替全金属薄膜实现在弯曲或者扭转结构的表面电互连引出，能够完全避免金属薄膜引线材料在高频往复运动过程中产生的疲劳的问题，有效的提高了MEMS微镜的寿命。
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公开(公告)号：CN114132893A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479935.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法，它包括以下步骤：（1）衬底层制作，（2）SOI层制作，（3）键合晶圆制作。本发明可实现静电驱动微镜与介质隔离压阻式反馈传感器集成制造，可以将压敏电阻的漏电流降低到几个nA量级以下，大幅提高角度检测传感器稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110668391A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910793511.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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公开(公告)号：CN106241731A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610715431.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，包括以下步骤：S1）采用双抛硅片作为衬底，通过热氧化在衬底上制作第一氧化层，然后在氧化层上利用LPCVD制备氮化硅层；S2）制备衬底容腔，在衬底容腔上制备第二氧化层；S3）通过刻蚀去除衬底容腔以外的氮化硅层，并通过BOE漂去所有的氧化层，形成平板电容式MEMS器件的电容间隙；S4）将可动结构层与制备完电容间隙的衬底硅硅键合，再通过盖帽做晶圆级封装，得到平板电容式MEMS器件；利用高温形成的氧化层厚度控制电容间隙的厚度，由于高温形成的氧化层厚度在片内及片间均有良好的一致性，因此，可以保证平板电容式MEMS器件性能、片内及片间的一致性与重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN104355284B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅 （3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
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公开(公告)号：CN104369085A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410465732.8
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/345
Abstract: 本发明涉及一种硅片抛光粘片方法，其特征在于：抛光头（01）下表面分布着用于真空吸附的浅凹槽（03），将玻璃衬底（02）上的通孔（04）内填入固体蜡（05），加热使得玻璃衬底（02）与待抛光硅片（06）紧密粘贴，实现化学机械抛光粘片的目的。本发明具有如下优点：采用待抛光硅片和玻璃片直接贴合，由于表面光滑，直接贴合后形成范德瓦尔斯力，在加压过程中不易产生相对移动，保证了贴合后待抛光硅片的均匀性和一致性；采用硅片粘合区域仅在玻璃片通孔区域，缩短了溶化后的液态蜡充分浸透的时间，提高化学机械抛光粘片效率；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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