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公开(公告)号：CN104646846B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310588698.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: B23K35/24
Abstract: 一种银铜钯金合金钎料及其制备方法，银铜钯金合金的成分质量百分比为：铜，25‑35%；钯，20‑30%；金，0.1‑5%；银，余量。其制备方法如下：选择高纯银、无氧铜、高纯钯和高纯金按上述配比范围计算所需量，备料；配好的炉料放入真空熔炼炉的坩埚中，在高真空下进行加热，待炉料全部熔融后精炼，调温至900‑1000℃，浇注；将铸锭经过多道次的旋锻和真空退火，使铸锭直径从Φ15mm旋锻到Φ3.4mm；再进一步拉丝、真空退火、扒皮处理和清洗，最终由盐酸烧头穿模后拉丝得到Φ0.5mm丝状成品。其熔点为870‑880℃，流点为890‑910℃，熔流点温差较小，钎焊温度大约为910℃～930℃，与AuCu20（熔点910℃）相接近，在焊接母材为无氧铜、镍、不锈钢、镍合金等电真空器件时可以部分替代AuCu20。
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公开(公告)号：CN103170760A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110428288.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开了一种银铜锗钴合金电真空钎料及制备方法，该合金成分组成及质量百分比为：Cu，26-30%；Ge，1.5-2.5%；Co，0.15-0.35%；Ag，余量。该合金熔流点773±10℃。首先制备银铜锗钴合金铸锭，再根据需要尺寸压力加工为相应的片材或丝材；在开坯、中轧、精轧工序中道次变形量控制在10-20%以内，总变形量控制在80%-90%以内。中间去应力退火温度控制在400-500℃之间，保温时间1-2小时。熔铸和加工过程中严格控制合金的清洁性和溅散性；其在焊接不锈钢、可伐等结构件过程中省去了镀镍的工艺步骤，能够取代Ag-Cu28焊料；同时也解决了Ag-Cu-Ni合金钎料的熔流点不一致、焊接温度高的问题，在与银铜28相同焊接温度下，本发明与母材的润湿性很理想。
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公开(公告)号：CN101423907A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710176494.9
申请日：2007-10-29
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 一种锡锗砷合金材料及其制备方法和应用，锡锗砷合金成分组成及质量百分比：Ge：0.05－5％，As：1－10％，Sn：余量。制备方法如下：按不超上述配比范围计算、称重备高纯锡、锗、砷材料；按砷、锗、锡的顺序先后放入石英坩埚，然后将坩埚放入高压反应釜内；抽真空充氩气，控制釜内压力、温度，使锡、锗熔化并使砷蒸汽进入锡锗熔体内部，形成中间合金；冷却；得到锡锗砷中间合金锭；按上述配比量，将得到的中间合金锭再与剩余锡、锗一起熔化精炼；浇铸，得到锡锗砷合金材料。本发明锡锗砷合金材料是制备优质隧道二极管的基础合金材料，该材料在隧道二极管中既能起到电极的作用，又能将P+转型为N+，形成N+P+及窄的空间电荷区，既可制做蒸镀材料又可制做溅射靶材。
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公开(公告)号：CN110484787A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910769358.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种高纯铝镁合金微细丝及其制备方法和应用，属于冶金和压延加工技术领域。该高纯铝镁合金微细丝由铝镁合金组成，其中，Mg的含量为5-20wt％，余量为Al。该微细丝主要用于Z箍缩试验的试验因素研究制作。本发明的高纯铝镁合金微细丝材成分均匀，尺寸精准，一致性好。采用真空垂直半连续铸造、热挤压开坯和单丝拉拔的方法制备，采用该方法能够有效避免杂质引入，提高合金纯度；改善了合金脆性，降低加工难度，可以制得性能优异的高纯铝镁合金微细丝。
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公开(公告)号：CN109590634A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811329583.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/0227 , B23K35/40
Abstract: 一种低Ti高强度银基中温活性钎料及其制备方法，钎料的组成为：Cu 20-25wt％，Sn 15-25wt％，Pd 1-5wt％，Ti 1.0-3.0wt％，Ag为余量。制备方法包括取各金属按照合金配比进行熔炼，然后进行高压气雾化、沉积成形，随后将成形的坯料进行热挤压处理，使合金致密化，然后对致密化的坯料进行轧制加工，最终获得AgCuSnPdTi合金片材。该方法制备的合金钎料成分均匀、无偏析，可以加工成片材，焊接温度较常规AgCuTi活性钎料低接近200℃，从而降低Si3N4陶瓷焊接接头残余热应力，提高Si3N4陶瓷焊接强度和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106244961A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610750740.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种大直径无缝高强度银铜导电管料的制备方法，属于高强度导电管料的成形加工领域。该方法通过真空熔炼制备大规格银铜铸锭；在650-770℃的温度下，保温2-8小时，然后随炉冷却；在400-450℃下热加工，进行双十字锻造；在650-770℃下，保温2～6小时，然后冰水淬火；在400～650℃下挤压，挤压力不大于30MPa，挤压速度为1.5-3.5m/min；在200～300℃下，保温1～5小时，然后随炉冷却；进行机械加工，得到银铜导电管料。此方法加工出来的管料硬度可以达到140～175HV，内部无直径大于0.5mm-10dB缺陷，静态电阻小于2mΩ。
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公开(公告)号：CN104646846A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310588698.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: B23K35/24
CPC classification number: B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/40
Abstract: 一种银铜钯金合金钎料及其制备方法，银铜钯金合金的成分质量百分比为：铜，25-35%；钯，20-30%；金，0.1-5%；银，余量。其制备方法如下：选择高纯银、无氧铜、高纯钯和高纯金按上述配比范围计算所需量，备料；配好的炉料放入真空熔炼炉的坩埚中，在高真空下进行加热，待炉料全部熔融后精炼，调温至900-1000℃，浇注；将铸锭经过多道次的旋锻和真空退火，使铸锭直径从Φ15mm旋锻到Φ3.4mm；再进一步拉丝、真空退火、扒皮处理和清洗，最终由盐酸烧头穿模后拉丝得到Φ0.5mm丝状成品。其熔点为870-880℃，流点为890-910℃，熔流点温差较小，钎焊温度大约为910℃～930℃，与AuCu20（熔点910℃）相接近，在焊接母材为无氧铜、镍、不锈钢、镍合金等电真空器件时可以部分替代AuCu20。
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公开(公告)号：CN102115833B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200910244557.9
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用，金铍合金成分组成及质量百分比：Be：1-5％，Au：余量。制备方法如下：按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入半圆形的可密封石英玻璃罩内，并抽真空；使用电阻炉加热，升温使金、铍熔化，精练后停止加热；冷却至50℃以下，得到金铍中间合金；将得到的金铍中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精练，得到含铍量较低的金铍合金；用该合金再与金经过熔炼、连铸、拉拔工序，得到键合金丝。其是制备优质隧道二极管的基础合金材料，应用于制备二元化合物半导体薄膜电路上的线路与电极；还可制备键合金丝，利于实现金与半导体间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101748307B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810239843.1
申请日：2008-12-19
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开了一种金砷合金及其制备方法，金砷合金组成为As：1-20％，Au：余量。制备方法如下：首先制备中间合金，按所需中间合金配比称重；按砷、金的顺序先后放入石英坩埚；石英坩埚抽真空后密封；石英坩埚放入密封电阻炉内；以8～12℃/分钟的速度升温至600℃；向炉内充氩气；继续升温至1100-1500℃熔化并精炼金砷熔体；降温至680～1050℃；泄去炉内压力，快速打开坩埚密封塞，将合金熔液浇铸到水冷铸铁模内，得到中间合金锭。然后，按所需金砷合金配比量，将得到的中间合金锭再与剩余金一起以350～500℃/分钟速度升温至750～1200℃熔化精炼；浇铸，得到金砷合金材料。
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公开(公告)号：CN102115833A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244557.9
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用，金铍合金成分组成及质量百分比：Be：1-5％，Au：余量。制备方法如下：按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入半圆形的可密封石英玻璃罩内，并抽真空；使用电阻炉加热，升温使金、铍熔化，精练后停止加热；冷却至50℃以下，得到金铍中间合金；将得到的金铍中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精练，得到含铍量较低的金铍合金；用该合金再与金经过熔炼、连铸、拉拔工序，得到键合金丝。其是制备优质隧道二极管的基础合金材料，应用于制备二元化合物半导体薄膜电路上的线路与电极；还可制备键合金丝，利于实现金与半导体间的欧姆接触。
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