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公开(公告)号：CN101542760A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000429.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1－xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1－xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。
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公开(公告)号：CN101345221A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130233.8
申请日：2008-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。
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公开(公告)号：CN101138833A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149727.6
申请日：2007-09-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B33/00 , B24B37/04 , C09G1/02 , C30B29/403 , H01L21/02008
Abstract: 本发明公开一种可获得平坦度优良的Ⅲ族氮化物衬底的Ⅲ族氮化物衬底制造方法，其包括步骤：将多个条纹型Ⅲ族氮化物衬底粘附到研磨支撑台上，以使得条纹结构方向垂直于研磨支撑台的旋转方向；和粗磨、精磨和/或抛光该衬底。
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公开(公告)号：CN1896343A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610093296.1
申请日：2006-06-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01N23/207 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , C30B33/10 , G01B15/08 , G01N2223/602 , G01N2223/634 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L22/12 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/2003 , Y10T428/2978
Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1－d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10－3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X－射线衍射条件的同时通过改变X－射线从晶体表面的穿透深度来进行X－射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X－射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X－射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1－d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。
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公开(公告)号：CN1883859A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093295.7
申请日：2006-06-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23H1/00 , B23H1/06 , B23H7/08 , H01L21/302
Abstract: 在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体(1)和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1716545A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082192.6
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN1477686A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03149194.4
申请日：2003-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/449 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/75 , H01L2224/75312 , H01L2224/75353 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在将半导体元件安装在基片上的工序中，主要使用超声波能、以倒装法使半导体元件的电极与基片电极高效稳定地接合的超声波接合用接合工具。在与半导体元件接触的工具前端部使用具有高硬度的熱传导率良好的材质，因而可以同时实现长寿命化和接合性能的高度化。另外，通过适当调整工具前端部的表面的表面光洁度，可以谋求超声波能有效地传播和防止元件的位置。
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公开(公告)号：CN108336127B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201810200232.X
申请日：2012-05-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 石桥惠二
IPC: H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L21/04 , H01L21/329 , B28D5/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法。能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子％以上且30原子％以下的比率存在。
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公开(公告)号：CN103608498B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201280030621.3
申请日：2012-05-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 石桥惠二
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/36 , B28D5/045 , H01L21/046 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子%以上且30原子%以下的比率存在。
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公开(公告)号：CN104641453B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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