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公开(公告)号：CN104641453B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108281378B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN108281378A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762 , B32B7/04
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN102959141B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032962.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。
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公开(公告)号：CN104641453A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN102959141A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032962.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。
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