公开(公告)号：CN1977366B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm-3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。

公开(公告)号：CN1969380A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000315.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13由AlN、AlGaN或GaN构成，具体地。AlyGa1－yN外延层15具有用于150秒或以下的(0002)面XRD的半幅全宽。在氮化镓支撑衬底13和AlyGa1－yN外延层(0＜Y≤1)之间设置GaN外延层17。在AlyGa1－yN外延层15上设置肖特基电极19。肖特基电极19构成高电子迁移率晶体管11的栅电极。在氮化镓外延层15上设置源电极21。在氮化镓外延层15上设置漏电极23。

公开(公告)号：CN1774821A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

公开(公告)号：CN1744326A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510099023.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  冈久拓司 ,  樱田隆

IPC: H01L29/38 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L29/772 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm－3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm－3，但不大于1×1017cm－3。

公开(公告)号：CN116490646A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180067424.8

申请日：2021-07-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  西口太郞 ,  近藤哲郎 ,  松本直树 ,  佐佐木信 ,  山本裕史

IPC: C30B33/00

Abstract: 碳化硅半导体装置的制造方法包括以下的工序。在包含碳化硅单晶基板和设置在碳化硅单晶基板上的碳化硅外延膜的碳化硅基板中，形成成为二维位置坐标的基准的基准标记。在形成基准标记之后，对碳化硅基板的基准标记形成面进行研磨和清洗中的至少任意一种。基于基准标记，确定碳化硅基板上的缺陷的位置坐标。在碳化硅基板上形成元件活性区域。基于基准标记，确定元件活性区域的位置坐标。将缺陷的位置坐标与元件活性区域的位置坐标建立关联，进行元件活性区域的优劣判定。

公开(公告)号：CN102292477B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080005056.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  川濑智博

IPC: C30B29/42 ,  C30B33/02

CPC classification number: H01B1/02 ,  C22F1/16 ,  C30B29/42 ,  C30B33/02 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明公开了一种导电GaAs晶体，其具有超过1×1017个/cm3的Si原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少30nm的析出物的密度为400个/cm2以下。在这种情况下，优选的是，所述导电GaAs晶体具有至多2×102个/cm2或至少1×103个/cm2的位错密度。

公开(公告)号：CN102137960B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。

公开(公告)号：CN101680109B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980000432.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  中幡英章

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。

公开(公告)号：CN102471921A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033399.3

申请日：2010-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  川濑智博

IPC: C30B11/06 ,  C30B29/44 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/02 ,  C30B11/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/002 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/44 ,  Y10T117/1024

Abstract: 提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容器(1)的步骤，以及在纵向容器(1)的纵向上建立温度梯度以熔化滴落原料块(11)，以及从接触籽晶(8)的一侧开始固化含杂质熔体(9)，同时将所制造的熔体(13)滴入含杂质容器(9)中，由此制造半导体晶体(12)。

公开(公告)号：CN102046858A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119278.8

申请日：2009-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  宫永伦正 ,  谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。