公开(公告)号：CN100555657C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200680000348.4

申请日：2006-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n-型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n-型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm-3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。

公开(公告)号：CN102265411A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152161.X

申请日：2009-07-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 猪口康博 ,  三浦广平 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/105 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，且在所述吸收层中所述杂质元素的浓度为5×1016/cm3以下。

公开(公告)号：CN1969388A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000348.4

申请日：2006-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。

公开(公告)号：CN103843158A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201380003240.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  稻田博史 ,  猪口康博 ,  齐藤格

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3-12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。

公开(公告)号：CN1993834A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000560.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)－面XRD半峰全宽。

公开(公告)号：CN1977367A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000432.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  木山诚 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

Abstract: 提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管1中，支撑衬底3由AlN、AlGaN或GaN构成。AlyGa1－yN外延层5具有0.25mm或以下的表面粗糙度(RMS)，其中表面粗糙度由每一侧测量1μm的正方形面积所得到。在AlyGa1－yN支撑衬底3和AlyGa1－yN外延层5之间设置GaN外延层7。在AlyGa1－yN外延层5上设置肖特基电极9。在AlyGa1－yN外延层5上设置第一欧姆电极11。在AlyGa1－yN外延层5上设置第二欧姆电极13。第一和第二欧姆电极11和13之一构成源电极以及另一个构成漏电极。肖特基电极9构成高电子迁移率晶体管1的栅电极。

公开(公告)号：CN102265411B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980152161.X

申请日：2009-07-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 猪口康博 ,  三浦广平 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/105 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，将由III-V族半导体构成的扩散浓度分布控制层设置成和所述吸收层的一侧相接触，所述吸收层的所述一侧和所述吸收层的与所述III-V族化合物半导体衬底相邻的一侧相反，所述扩散浓度分布控制层的带隙能量比所述III-V族化合物半导体衬底的带隙能量小，选择性扩散到所述扩散浓度分布控制层中的所述杂质元素的浓度随着朝向所述吸收层而降低至5×1016/cm3以下。

公开(公告)号：CN1969380B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200680000315.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13由AlN、AlGaN或GaN构成，具体地。AlyGa1-yN外延层15具有用于150秒或以下的(0002)面XRD的半幅全宽。在氮化镓支撑衬底13和AlyGa1-yN外延层(0＜Y≤1)之间设置GaN外延层17。在AlyGa1-yN外延层15上设置肖特基电极19。肖特基电极19构成高电子迁移率晶体管11的栅电极。在氮化镓外延层15上设置源电极21。在氮化镓外延层15上设置漏电极23。

公开(公告)号：CN1977366B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm-3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。

公开(公告)号：CN1969380A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000315.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13由AlN、AlGaN或GaN构成，具体地。AlyGa1－yN外延层15具有用于150秒或以下的(0002)面XRD的半幅全宽。在氮化镓支撑衬底13和AlyGa1－yN外延层(0＜Y≤1)之间设置GaN外延层17。在AlyGa1－yN外延层15上设置肖特基电极19。肖特基电极19构成高电子迁移率晶体管11的栅电极。在氮化镓外延层15上设置源电极21。在氮化镓外延层15上设置漏电极23。