公开(公告)号：CN103329287A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005421.2

申请日：2012-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 猪口康博 ,  齐藤格 ,  藤村康 ,  田中和典

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G02B3/00 ,  G02B3/0075 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种光接收装置，包含位于与像素相对应的各个区域中的微透镜(21)，所述微透镜(21)布置在InP衬底(1)的背面上。所述微透镜通过使用树脂材料形成，所述树脂材料对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下，所述透过率为70%以上。

公开(公告)号：CN103329287B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280005421.2

申请日：2012-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 猪口康博 ,  齐藤格 ,  藤村康 ,  田中和典

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G02B3/00 ,  G02B3/0075 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种光接收装置，包含位于与像素相对应的各个区域中的微透镜(21)，所述微透镜(21)布置在InP衬底(1)的背面上。所述微透镜通过使用树脂材料形成，所述树脂材料对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下，所述透过率为70%以上。

公开(公告)号：CN103843158B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201380003240.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  稻田博史 ,  猪口康博 ,  齐藤格

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3‑12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。

公开(公告)号：CN103843158A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201380003240.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  稻田博史 ,  猪口康博 ,  齐藤格

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3-12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。