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公开(公告)号：CN111635701B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50‑80％；磨料0.1‑10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005‑20％；抑制剂0.1‑100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112311361A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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公开(公告)号：CN108922574B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810637327.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C11/4091
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。
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公开(公告)号：CN111662641A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％-30wt％；保护剂0wt％-10wt％；表面活性剂0wt％-10wt％；氧化剂0.001wt％-10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN111326651A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811543070.6
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法，所述OTS材料为包括Ge、As、Se、Te、Si和P六种元素的化合物，所述OTS材料的化学通式为GeaAsbSecTexSiyPz，其中a、b、c、x、y、z均指元素的原子百分比，且5
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公开(公告)号：CN111129070A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911181892.9
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本申请公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括锗(Ge)、硒(Se)和硫(S)三种元素的化合物；该选通管材料的化学通式为GeSexS1-x，其中，X为元素的原子占比，且0.01≤X≤0.99。本发明提供的选通管材料具有开通电流大和漏电流小的特点。
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公开(公告)号：CN107068198B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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公开(公告)号：CN110890122A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911099112.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1S1R单元读控制电路，至少包括：选中单元读控制电路、阵列控制电路、第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器、灵敏放大器和1S1R阵列；阵列控制电路、第一低压差线性稳压器和灵敏放大器均与选中单元读控制电路连接；第二低压差线性稳压器和1S1R阵列均与阵列控制电路连接。实现了对选通器件不同状态的不同电压控制，保证了1S1R单元能被正确读取；在选通器件导通时，避免了存储器件两端的高电压，避免了读干扰，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN110846626A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911079293.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种碳掺杂相变存储材料靶材及其制备方法，该靶材的制备方法包括以下步骤：获取相变原材料；将相变原材料按照化学计量比混合获得第一混合物，将第一混合物在设定温度下加热反应生成相变材料化合物；将相变材料化合物采用高能球磨或者气流磨的方法制成相变材料粉体；将相变材料粉体与石墨烯均匀混合制成第二混合物；将第二混合物通过真空热压烧结工艺制得靶材。如此，采用本申请提供的制备方法制备的靶材组份均一、靶材表面平整、粗糙度小、含氧量低。
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公开(公告)号：CN110619908A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910806731.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法，通过控制突触模块中的一个开关管处于工作状态，另一个开关管处于非工作状态，进而调节突触模块中的一个忆阻器的电导，而不影响另一忆阻器的电导，实现快速调节突触权重的同时还可以减少操作过程中串扰。此外，还通过一忆阻器存储待存储数据包括的高位数据，另一忆阻器存储待存储数据包括的低位数据，扩展了忆阻器的突触分辨率。
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