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公开(公告)号：CN114824717A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210423845.6
申请日：2022-04-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明提供一种带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统，其中，带隔离的三等分功率分配器，包括：一个分配比为1:2的第一混合环和一个分配比为1:1的第二混合环；第一混合环的第一端口为信号输入端，第一混合环的第二端口连接第二混合环的第一端口，第二混合环的第二端口和第三端口以及第一混合环的第三端口分别为三等分功率分配器的三个信号输出端；其中，第一混合环的第二端口为功率大的端口。本发提供的带隔离的三等分功率分配器结构简单、性能较高、且具有良好的隔离度。
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公开(公告)号：CN114114119A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111284366.2
申请日：2021-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。该方法包括：多线TRL校准件包括一个直通、与直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，方法包括：根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线以及确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；进行半导体工艺加工，得到校准件；对校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。本发明能够解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。
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公开(公告)号：CN113512755A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110760674.1
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层，所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统，注入合成系统承载红磷，在驱动装置的作用下，沉入坩埚。采用本发明提供的装置，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率，同时抑制温度梯度方向的熔体对流，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN111477612A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010206725.1
申请日：2020-03-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试电路，所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接，所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。
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公开(公告)号：CN111192926A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010013555.5
申请日：2020-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该氧化镓肖特基二极管由下至上包括阴极金属，高掺杂氧化镓衬底，低掺杂氧化镓外延层，阳极金属、围绕阳极金属的钝化介质层，以及，覆盖于阳极金属之上的场板金属；其中，所述钝化介质层内含有氟负离子。本发明可以提高氧化镓肖特基二极管器件的击穿特性。
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公开(公告)号：CN108414121A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810166861.5
申请日：2018-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01L1/18
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN压力传感器制备方法及器件，包括将第一硅片与第二硅片贴合形成密封腔体；将衬底上的GaN外延层剥离形成GaN薄膜；其中，GaN外延层由下至上包括GaN缓冲层和势垒层；将所述GaN薄膜与密封腔体键合形成压力传感器基底；在所述GaN薄膜上形成压力敏感单元。本发明通过激光剥离工艺将GaN外延层从衬底上剥离形成GaN薄膜，并在第一硅片上制备凹槽，将第一硅片与第二硅片键合形成密封腔体，然后将GaN薄膜与密封腔体键合，并在GaN薄膜上制备压力敏感单元形成压力传感器，从而实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN108400235A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810167667.9
申请日：2018-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L41/23 , H01L41/113
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN110760931B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201911155614.6
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本发明属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关键在于：所述炉体分隔为合成生长室、投料室及装料室，装料室和投料室借助插板分隔，装料室内设置翻转投料器，投料室内设置送料管，送料管一端对接翻转投料器，一端延伸至合成生长室内的坩埚内形成铟磷混合球投送结构；坩埚定位在坩埚杆上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室顶盖上。可将铟磷混合球快速投入到覆盖有液态氧化硼的坩埚中，合成后后，原位提拉形成磷化铟晶体，合成速度更快，利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN117071051A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311080544.9
申请日：2023-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提出了一种温度梯度凝固制备化合物晶体的均衡凝固方法，属于晶体制备技术领域，本发明通过控制多段加热系统，在液封提拉系统坩埚的熔体中生长磷化铟晶体，当晶体尺寸大于所需尺寸以后，向熔体中注入铟，同时降低熔体温度使得熔体与磷化铟晶体保持近似平衡，过程中保持晶体微微长大，直至降至室温；降温过程中，在系统温度为700‑900K时将大部分氧化硼移除。最终坩埚中的熔体为纯铟，熔体凝固后晶体被纯铟包裹。铟凝固会发生收缩，同时因为铟有良好的可塑性，且在200℃仍为液态，减少了坩埚对晶体的束缚，可以实现晶体不被氧化硼和坩埚涨裂。
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公开(公告)号：CN117026379A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311071433.1
申请日：2023-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放置到坩埚支撑上端；S2.封闭主炉体和上炉盖，通过充放气管道给系统抽真空至10‑2Pa‑10Pa，然后充入惰性气体至3‑5MPa。本发明中，该方法可以降低LEC晶体生长中机械震动带来的提拉影响，通过中心液面在离心力下连续下降，同时实现晶体的生长，同时还可以利用高速离心运动下，在生长界面建立起高的温度梯度，提高生长界面的稳定性。
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