公开(公告)号：CN114093761A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110942114.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  后平拓 ,  宋孝锡 ,  田所昌洋 ,  沼田健太郎 ,  八重樫圭太

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至‑40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将上述层叠膜进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN107833831B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201710827662.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  冨永翔

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN112309851A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010715163.3

申请日：2020-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近江宗行 ,  后平拓 ,  村上贵宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基片处理方法，其包括：准备含有蚀刻对象膜和掩模的基片的步骤；用等离子体通过所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤；和在所述进行蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对基片进行热处理的步骤。根据本发明，能够防止因沉积于蚀刻对象膜的反应生成物而使蚀刻对象膜受到损伤。

公开(公告)号：CN111564357A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010396565.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤仁 ,  后平拓

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种等离子体处理装置，其包括进行控制以执行以下步骤的控制部：步骤(a)，将包含蚀刻对象膜的被加工物载置在载置台上；步骤(b)，在用温度调节机构将载置台的温度维持为-30℃以下的状态下，在腔室内从包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体生成等离子体，来对蚀刻对象膜进行蚀刻；步骤(c)，在步骤(b)之后，将被加工物从腔室搬出；步骤(d)，在步骤(c)之后，在用温度调节机构将载置台的温度维持为0℃以上的状态下，在腔室内从含氧的清洁气体生成等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁。

公开(公告)号：CN107039229B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201611165711.X

申请日：2016-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高岛隆一 ,  后平拓 ,  大矢欣伸

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF4)生成的自由基的附着系数大。

公开(公告)号：CN107833831A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710827662.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  冨永翔

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。