公开(公告)号：CN1309028C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02827916.6

申请日：2002-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门部雅人 ,  中尾贤 ,  山贺健一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  C23C16/46 ,  B60B33/06 ,  B60B33/08

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供容易进行加热元件的更换等的维护操作，谋求提高维护性的立式热处理装置，其特征为，配备以下部件：即收容多个被处理体(W)、用于热处理的处理容器(4)，和覆盖该处理容器(4)周围的筒状加热器(6)，和设置该加热器6的加热器设置部(7)，和从一侧可维护地收容所述加热器(6)的筐体(11)，所述加热器(6)可单个更换地具有多个加热元件(31)，在所述加热器设置部(7)上设置可旋转地支持加热器6的旋转支持机构(40)。

公开(公告)号：CN1286155C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN03123303.1

申请日：2003-03-29

Applicant: 东芝陶瓷株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 岛贯和彦 ,  本间浩幸 ,  斋藤纪彦 ,  横山秀幸 ,  斋藤孝规 ,  中尾贤

IPC: H01L21/324 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/68757

Abstract: 提供一种半导体热处理用反射板，通过抑制异物的附着、反应气体的产生来防止破裂、变形。在在将由从碳、SiC、TiN、Au、Pt或热膨胀石墨薄片中任选一种的无机材料构成的板状体(2)密闭配置在圆板状或环状的透光材料构成的板状体(3)内的半导体热处理用反射板(1)中，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面(2a)的表面粗糙度Ra为0.1至至10.0μm，并且在该表面上形成从内周端到外周端的直线状沟(2c)。

公开(公告)号：CN1618118A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827951.4

申请日：2002-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤孝规 ,  山贺健一 ,  中尾贤

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：筒状的处理容器、可多层地保持多个被处理体的同时，可进出所述处理容器内的被处理体保持单元、向所述处理容器内导入规定处理气体的处理气体导入单元、设置在所述处理容器的内部，在所述被处理体保持单元进入所述处理容器内时，加热所述被处理体保持单元所保持的多个被处理体的加热单元和冷却所述处理容器外壁面的容器冷却单元。

公开(公告)号：CN1454029A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03136779.8

申请日：2003-03-25

Applicant: 东芝陶瓷株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大津朗 ,  森宏 ,  斋藤纪彦 ,  本间浩幸 ,  外谷荣一 ,  金富雄 ,  永田智浩 ,  濑古顺 ,  斋藤孝规 ,  中尾贤 ,  三浦一敏 ,  长谷川阳成 ,  星丈治 ,  石井胜利

IPC: H05B3/44 ,  H01L21/324

CPC classification number: H05B3/145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种碳电线发热体密封加热器。其中，将采用碳纤维的碳电线发热体封入石英玻璃管中，其中，所述碳电线发热体的吸附水分量小于2×10－3g/cm3。

公开(公告)号：CN1449000A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03123303.1

申请日：2003-03-29

Applicant: 东芝陶瓷株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 岛贯和彦 ,  本间浩幸 ,  斋藤纪彦 ,  横山秀幸 ,  斋藤孝规 ,  中尾贤

IPC: H01L21/324 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/68757

Abstract: 提供一种半导体热处理用反射板，通过抑制异物的附着、反应气体的产生来防止破裂、变形。在圆板状或环状的透光材料构成的板状体(3)内，在密闭配置了无机材料构成的板状体(2)的半导体热处理用反射板(1)中，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面(2a)的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且在该表面上形成沟(2c)。

公开(公告)号：CN103081083B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180041531.X

申请日：2011-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  中村充一 ,  饭田到 ,  原田宗生

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B25J15/0616 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1933

Abstract: 使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下，使第1吸附部远离粘合片，从而拾取芯片。

公开(公告)号：CN101547549B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810189270.6

申请日：2008-12-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 中尾贤 ,  守谷修司 ,  上坂裕之

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2240/10 ,  H05H2245/123 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。

公开(公告)号：CN101284199B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810091619.2

申请日：2008-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守谷修司 ,  中尾贤

IPC: B01D46/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C14/564 ,  Y10S55/15

Abstract: 本发明涉及的气体供给系统，包括：设置于向半导体制造装置供给气体的气体供给通路的气体过滤器；和设置在所述气体供给流路的比所述气体过滤器的配设位置更靠下游侧的位置，使所述气体供给流路内流通的气体所包含的挥发性金属成分液化并去除的金属成分去除器。由此，在通过气体供给流路向半导体制造装置供给腐蚀性气体时，防止通过气体过滤器无法去除的挥发性金属成分的混入。

公开(公告)号：CN101220505B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710152462.5

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  加藤寿 ,  冈部庸之 ,  冈田充弘 ,  本间学 ,  羽石朋来

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。

公开(公告)号：CN101379592B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200780005002.8

申请日：2007-02-07

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 平岩次郎 ,  吉本修 ,  早川宏 ,  东城哲朗 ,  冈部庸之 ,  浅野贵庸 ,  和田真一 ,  中尾贤 ,  加藤寿

IPC: H01L21/02 ,  B01J4/00 ,  C25B1/24 ,  C25B15/00 ,  F17D1/02

CPC classification number: F17D1/04 ,  C01B7/19 ,  F17C2250/032 ,  F17C2270/0518 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67276

Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。