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公开(公告)号：CN114355634A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN114200696A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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公开(公告)号：CN112305667A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910689392.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种光波导器件及其制备方法。制备方法包括：形成图形化的复合衬底，其自下而上依次包括底部半导体层、绝缘层及顶部半导体层；复合衬底内形成有凹槽，凹槽贯穿绝缘层且被顶部半导体层所覆盖；对凹槽上方的顶部半导体层进行光刻刻蚀以形成光波导；对光波导进行第一浓度的离子注入以于光波导中形成第一P型注入区和与第一P型注入区相邻的第一N型注入区；对光波导外围的顶部半导体层进行第二浓度的离子注入以分别形成第二P型注入区和第二N型注入区；于第二P型注入区及所述第二N型注入区表面形成金属电极。本发明有利于简化光波导器件的制备工艺和降低生产成本，有助于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN211428186U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020126108.6
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
Abstract: 本实用新型公开了一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，涉及光电探测器技术领域。本实用新型的基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，包括探测器和形成于所述探测器的上方的超表面透镜；所述探测器包括自下而上依次设置的p型层、本征层和n型层；所述超表面透镜为具有梯度相位分布的超表面结构，所述超表面透镜具有消色差的特性，所述超表面透镜构造为将垂直入射光聚焦到所述本征层。相对于现有技术，本实用新型协调了光电探测器的响应度和带宽之间的矛盾，具有高速高效的优点，同时解决了波长敏感性的问题；而且，本实用新型的光电探测器的超表面透镜是在全介质材料上实现的，具有损耗小、效率高的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN118671890A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310258944.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种非对称定向耦合器及制备方法，通过两个对称耦合直波导、两个具有不同宽度的相位控制直波导、四个锥形波导和四个弯曲波导构建非对称定向耦合器的主体结构，来自输出端的TE模式光源或TM模式光源进入波导后，在对称耦合直波导传播时，光将从一个波导耦合到另一个波导，在经过非对称的相位控制波导部分时，限制在每个波导中的光在没有耦合的情况下传播产生光波相移，之后再耦合，并最终从两个输出端输出，通过使用不对称波导可在两个对称的耦合直波导之间引入小的相移，以补偿对称耦合器的波长相关耦合比，本发明在解决偏振依赖性的基础上，可进一步构成宽带低损耗的非对称定向耦合器，且整体器件尺寸较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116169023A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111404497.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。
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公开(公告)号：CN111290077B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201811484632.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115598870A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776036.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC: G02F1/035
Abstract: 本申请提供一种电光调制器及其制造方法，该电光调制器包括：多模干涉波导；输入波导；输出波导；第一相移波导；第一光反射结构；第二相移波导；第二光反射结构；平板区；覆盖层；以及电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，其中，所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。本申请能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN115407531A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586101.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，光波导掺杂结构包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本发明利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN112103275B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910461928.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，该封装方法是晶圆级扇出形封装的方法，其能够提高带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时该封装方法还形成了用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块耦合。
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