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公开(公告)号：CN119937190A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510209743.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基异质集成薄膜铌酸锂平台的电光调制器，包括依次连接的第一硅基多模干涉耦合器、第一硅‑铌酸锂层间耦合器、T型微结构电极、铌酸锂调制臂、第二硅‑铌酸锂层间耦合器以及第二硅基多模干涉耦合器；所述硅‑铌酸锂层间耦合器由上至下包括铌酸锂脊波导、二氧化硅缓冲层、硅波导和衬底。本发明兼具了T型微结构电极铌酸锂电光调制器的优点与硅基异质集成铌酸锂平台的优点，在保持了T型微结构电极铌酸锂电光调制器高电光带宽、低功耗优点的同时，具有晶圆级制备和基于成熟硅基光电子器件大规模集成能力。
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公开(公告)号：CN116990906A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310766642.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN111983753B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型‑条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN111983753A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型-条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN119575727A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311137704.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MZ型电光调制器及其制备方法。所述MZ型电光调制器自下而上包括衬底层、硅波导层、第一隔离层、氮化硅波导层、第二隔离层、铌酸锂薄膜层、第三隔离层和金属层；所述衬底层的表面为绝缘材料层；所述硅波导层包括位于相对两侧的分束器和合束器，以及分别与分束器和合束器相连接，并相向延伸到对应的耦合区域的两条以上调制臂，所述氮化硅波导层的氮化硅条形波导与位于其上层的铌酸锂薄膜层构成的混合波导作为有源调制臂，位于所述氮化硅波导层和所述铌酸锂薄膜层之间的第二隔离层的厚度小于50nm。本发明有助于提高调制器的性能，降低传输损耗，且有助于简化其制备工艺，降低制备成本，有助于其大规模的推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553704A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410505485.3
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV结构的2.5D封装结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的正面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转接板(1)的反面与电集成电路EIC芯片(3)通过第二凸点(301)连接；所述电集成电路EIC芯片(3)埋入陶瓷基板(4)中。本发明的PIC芯片与EIC芯片位于转接板芯片两侧，且EIC芯片埋入陶瓷基板中，转接板芯片面积更小，2.5D封装与光纤耦合封装方案基于同一陶瓷基板，进一步提升了集成度，并且可靠性更高，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118553703A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410505484.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV结构的光电合封结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置有硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的一面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转接板(1)的另一面与电集成电路EIC芯片(3)通过第二凸点(301)连接，并通过支撑柱(5)与印刷电路板PCB(4)进行固定。本发明采用带有TSV结构的硅转接板与金属引线的方案实现光芯片和电芯片的封装，该方案集成度高，灵活度高，可以进一步提升封装系统的集成度，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN111679364B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010487984.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型边缘耦合器，包括三端口倒锥形耦合器(1)、悬空脊型波导(2)和悬梁臂支撑结构(3)。本发明通过独特的结构设计增大了耦合效率，同时增大了工艺容差，也为测试带来了极大的方便，解决了中红外波段波导‑光纤耦合损耗大的问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118169931A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410252058.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于双电感技术的迈克尔逊型电光调制器，包括光学结构部分和电学结构部分；所述光学结构部分包括多模干涉耦合器、掺杂波导区域、第一反射器和第二反射器；所述多模干涉耦合器的输出端分为与第一反射器连接的第一干涉臂和与第二反射器连接的第二干涉臂，其中，第一干涉臂和第二干涉臂中至少有一个干涉臂经过所述掺杂波导区域；所述电学结构部分包括由第一螺旋电感和第二螺旋电感构成的双电感螺旋结构，所述双电感螺旋结构与所述掺杂波导区域的金属层相连，实现对所述掺杂波导区域的电信号加载。本发明能够增大器件带宽。
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公开(公告)号：CN116520492A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310438860.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种定向耦合装置。该定向耦合装置包括第一波导，所述第一波导包括依次连接的第一传输部、第一耦合部和第二传输部；第二波导，所述第二波导包括依次连接的第二耦合部和第四传输部；所述第一耦合部、第二耦合部为弯曲波导，两者组成耦合结构；所述第一耦合部的曲率半径与所述第二耦合部的曲率半径互不相同且在各自弯曲耦合部分上恒定。本发明在结构简单易于制造的同时降低了耦合装置对输入光波长和偏振的敏感度。
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