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公开(公告)号：CN114200696B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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公开(公告)号：CN114200696A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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公开(公告)号：CN118169931A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410252058.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于双电感技术的迈克尔逊型电光调制器，包括光学结构部分和电学结构部分；所述光学结构部分包括多模干涉耦合器、掺杂波导区域、第一反射器和第二反射器；所述多模干涉耦合器的输出端分为与第一反射器连接的第一干涉臂和与第二反射器连接的第二干涉臂，其中，第一干涉臂和第二干涉臂中至少有一个干涉臂经过所述掺杂波导区域；所述电学结构部分包括由第一螺旋电感和第二螺旋电感构成的双电感螺旋结构，所述双电感螺旋结构与所述掺杂波导区域的金属层相连，实现对所述掺杂波导区域的电信号加载。本发明能够增大器件带宽。
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公开(公告)号：CN115308833A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210821104.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于桥型电磁线圈的集总型折叠迈克尔逊电光调制器，包括光波导部分和电极部分，所述光波导部分包括：多模干涉耦合器、生长在第一平板区上的第一波导、生长在第二平板区上的第二波导；其中，第一波导和第二波导均至少有一个折弯并形成U型区域；电极部分包括上金属层、下金属层和桥型电磁线圈，下金属层布置在第二波导外侧以及第二波导形成的U型区域之间，并通过第一连接与第二平板区连接；上金属层位于下金属层上方，并通过第二连接与下金属层连接；上金属层还与桥型电磁线圈相连，桥型电磁线圈一端与信号输入端相连，另一端与终端电阻一端连接，终端电阻的另一端与上金属层连接。本发明能够减小尺寸，并且提高器件的带宽性能。
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