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公开(公告)号：CN119937190A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510209743.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基异质集成薄膜铌酸锂平台的电光调制器，包括依次连接的第一硅基多模干涉耦合器、第一硅‑铌酸锂层间耦合器、T型微结构电极、铌酸锂调制臂、第二硅‑铌酸锂层间耦合器以及第二硅基多模干涉耦合器；所述硅‑铌酸锂层间耦合器由上至下包括铌酸锂脊波导、二氧化硅缓冲层、硅波导和衬底。本发明兼具了T型微结构电极铌酸锂电光调制器的优点与硅基异质集成铌酸锂平台的优点，在保持了T型微结构电极铌酸锂电光调制器高电光带宽、低功耗优点的同时，具有晶圆级制备和基于成熟硅基光电子器件大规模集成能力。
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公开(公告)号：CN116990906A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310766642.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN111983753B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型‑条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN111983753A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型-条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN114355634B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114200696B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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公开(公告)号：CN119335765A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411536359.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种非易失性相位校正方法和光电子器件，其中，方法包括：在光电子器件的波导上集成相变材料；通过改变所述相变材料的所处状态，实现对光电子器件的初始相位差进行校正。光电子器件包括相变材料和调节装置，所述相变材料集成在波导上；所述调节装置用于改变所述相变材料的所处状态以对光电子器件的初始相位差进行校正。本发明能够对所设计光电子器件的初始相位进行校正且具有非易失性。
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公开(公告)号：CN118348698A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410544529.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂平台的折叠型电光调制器，包括光波导(1)、金属电极(2)、交叉波导(3)、多模干涉耦合器(4)和铌酸锂‑氮化硅‑硅层间耦合器(5)。本发明使用交叉波导和双转折信号电极，可以有效减少电光调制器的光学损耗与射频损耗，工艺要求低，降低了射频信号的不连续性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116148981A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310277488.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本发明能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。
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公开(公告)号：CN114355634A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
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