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公开(公告)号：CN114763019A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110030746.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B32B3/24 , B32B7/023 , B32B17/10 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B38/04 , G02B1/00
Abstract: 本发明提供一种多层聚合物薄膜三维光子晶体及其制作方法，三维光子晶体包括：基底和聚合物薄膜叠层，聚合物薄膜叠层贴合在基底表面，聚合物薄膜叠层由两种或两种以上具有不同折射率的聚合物薄膜交替地周期性排布形成，聚合物薄膜叠层具有多个垂直穿透其厚度方向的空气孔，空气孔在聚合物薄膜叠层中按晶格形式排列。本发明采用的聚合物薄膜的结构千变万化，易于成形和处理，生产制作工艺简单，成本低，利于大面积制作，且聚合物材料种类众多，折射率、密度等可以调控，为光子晶体制作提供了很大的选择空间，可使得光子晶体具有各种各样不同的性质，同时本发明可大大地降低光子晶体的制作难度。
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公开(公告)号：CN111244221A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010061438.6
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，涉及光电探测器技术领域。本发明的基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，包括探测器和形成于所述探测器的上方的超表面透镜；所述探测器包括自下而上依次设置的p型层、本征层和n型层；所述超表面透镜为具有梯度相位分布的超表面结构，所述超表面透镜具有消色差的特性，所述超表面透镜构造为将垂直入射光聚焦到所述本征层。相对于现有技术，本发明协调了光电探测器的响应度和带宽之间的矛盾，具有高速高效的优点，同时解决了波长敏感性的问题；而且，本发明的光电探测器的超表面透镜是在全介质材料上实现的，具有损耗小、效率高的优点。
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公开(公告)号：CN116577073A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310625211.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供一种发射光栅有效发射长度的测量系统及测量方法，所述测量系统包括：进光耦合器、光分束器、第一出光耦合器及第二出光耦合器；其中，进光耦合器用于接收入射光束；光分束器与所述进光耦合器连接，并具有第一分光端及第二分光端，并且第一分光端与发射光栅连接，第一出光耦合器与发射光栅连接，将经发射光栅衰减后的第一分光光束出射为第一出射光束；第二出光耦合器与第二分光端连接，出射第二出射光束。本发明提供的发射光栅有效发射长度的测量系统及测量方法能够解决因工艺误差导致制备得到的发射光栅的有效发射长度与仿真设计得到的光栅长度不符，不能得到准确的发射光栅有效发射长度的问题。
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公开(公告)号：CN113707739A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111009247.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光栅结构加载的垂直PIN型光电探测器及其制备方法，该光电探测器，包括：衬底、绝缘层、下接触层、本征吸收层、光栅结构和上接触层，其中上接触层与下接触层的掺杂类型相反；本征吸收层位于上接触层和下接触层之间，光栅结构通过刻蚀方式形成于本征吸收层；垂直入射光经过光栅衍射在本征吸收层转变成水平传输的光，消除了本征吸收层厚度对响应度的影响。本发明避免了光电探测器响应度和带宽相互制约的问题，有效提高了光电探测器的吸收效率及响应速度。此外，本发明还可以通过调节锗锡材料中锡的含量拓宽锗光电探测器的波长探测范围。
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公开(公告)号：CN119335765A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411536359.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种非易失性相位校正方法和光电子器件，其中，方法包括：在光电子器件的波导上集成相变材料；通过改变所述相变材料的所处状态，实现对光电子器件的初始相位差进行校正。光电子器件包括相变材料和调节装置，所述相变材料集成在波导上；所述调节装置用于改变所述相变材料的所处状态以对光电子器件的初始相位差进行校正。本发明能够对所设计光电子器件的初始相位进行校正且具有非易失性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116148981A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310277488.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本发明能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。
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公开(公告)号：CN119596539A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411572671.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光学相控阵非等周期排布的优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定所述光学相控阵中各通道的间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为免疫个体，使用免疫优化算法求解获得最优的各通道间距，使得所述光学相控阵在预设扫描范围内有最低的栅瓣抑制比。本发明能够实现在大的波导间距下的栅瓣抑制，同时提高发射孔径，降低光束发散角。
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公开(公告)号：CN119535817A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411508489.3
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种低损耗桥式加热器结构及其应用，所述加热器结构包括平行设置的若干加热器单元，所述加热器单元长度大于受热单元长度从而形成桥式，所述加热器单元连接金属层。本发明提出的低损耗桥式加热器结构，可以减小加热器材料对光的吸收，降低吸收损耗，进一步可以减小加热器和受热单元之间的间距，增大了热调效率，降低了功耗，提高了热调速率，同时设计的桥式结构减小了加热器件的电阻值，提高了对电学系统的兼容度，避免了被过热击穿的情况，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118707714A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843179.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明涉及一种光学相控阵优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定全部所述光学相控阵的阵元间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为个体位置，利用粒子群优化算法求解获得最优阵元间距序列，使所述光学相控阵在预设扫描范围内实现高旁瓣抑制比的主光束扫描。本发明在优化过程中考虑到实际场景中主光束发生偏转时受方向因子而减弱的影响，使优化后的非周期相控阵在预设扫描范围内拥有较低的旁瓣水平。
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公开(公告)号：CN118567027A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410791920.3
申请日：2024-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法，所述耦合器由下至上包括衬底(1)、埋氧层(2)、氮化硅层(3)、铌酸锂层(4)和上包层(5)。本发明通过异质集成的方式，在单层铌酸锂光栅下另添加一层光栅，即可达到与现有技术相近的耦合效率，具有低损耗，工艺流程简单，制作工艺容差大的优势。
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