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公开(公告)号：CN119575727A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311137704.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MZ型电光调制器及其制备方法。所述MZ型电光调制器自下而上包括衬底层、硅波导层、第一隔离层、氮化硅波导层、第二隔离层、铌酸锂薄膜层、第三隔离层和金属层；所述衬底层的表面为绝缘材料层；所述硅波导层包括位于相对两侧的分束器和合束器，以及分别与分束器和合束器相连接，并相向延伸到对应的耦合区域的两条以上调制臂，所述氮化硅波导层的氮化硅条形波导与位于其上层的铌酸锂薄膜层构成的混合波导作为有源调制臂，位于所述氮化硅波导层和所述铌酸锂薄膜层之间的第二隔离层的厚度小于50nm。本发明有助于提高调制器的性能，降低传输损耗，且有助于简化其制备工艺，降低制备成本，有助于其大规模的推广应用。
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公开(公告)号：CN119937190A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510209743.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基异质集成薄膜铌酸锂平台的电光调制器，包括依次连接的第一硅基多模干涉耦合器、第一硅‑铌酸锂层间耦合器、T型微结构电极、铌酸锂调制臂、第二硅‑铌酸锂层间耦合器以及第二硅基多模干涉耦合器；所述硅‑铌酸锂层间耦合器由上至下包括铌酸锂脊波导、二氧化硅缓冲层、硅波导和衬底。本发明兼具了T型微结构电极铌酸锂电光调制器的优点与硅基异质集成铌酸锂平台的优点，在保持了T型微结构电极铌酸锂电光调制器高电光带宽、低功耗优点的同时，具有晶圆级制备和基于成熟硅基光电子器件大规模集成能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116990906A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310766642.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN119535817A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411508489.3
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种低损耗桥式加热器结构及其应用，所述加热器结构包括平行设置的若干加热器单元，所述加热器单元长度大于受热单元长度从而形成桥式，所述加热器单元连接金属层。本发明提出的低损耗桥式加热器结构，可以减小加热器材料对光的吸收，降低吸收损耗，进一步可以减小加热器和受热单元之间的间距，增大了热调效率，降低了功耗，提高了热调速率，同时设计的桥式结构减小了加热器件的电阻值，提高了对电学系统的兼容度，避免了被过热击穿的情况，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116819682A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310766639.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于异质集成的三层耦合器结构及其制备方法，由下至上包括第一波导层、第二波导层和第三波导层。本发明可以利用不同材料之间相对参数选择的灵活性，为相关异质集成器件或异质集成平台增加一个设计维度，进一步拓展器件的实际应用。
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公开(公告)号：CN116148981A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310277488.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本发明能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。
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公开(公告)号：CN219496722U
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202320559890.4
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本实用新型涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本实用新型能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。
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