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公开(公告)号：CN119596539A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411572671.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光学相控阵非等周期排布的优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定所述光学相控阵中各通道的间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为免疫个体，使用免疫优化算法求解获得最优的各通道间距，使得所述光学相控阵在预设扫描范围内有最低的栅瓣抑制比。本发明能够实现在大的波导间距下的栅瓣抑制，同时提高发射孔径，降低光束发散角。
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公开(公告)号：CN118707714A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843179.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明涉及一种光学相控阵优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定全部所述光学相控阵的阵元间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为个体位置，利用粒子群优化算法求解获得最优阵元间距序列，使所述光学相控阵在预设扫描范围内实现高旁瓣抑制比的主光束扫描。本发明在优化过程中考虑到实际场景中主光束发生偏转时受方向因子而减弱的影响，使优化后的非周期相控阵在预设扫描范围内拥有较低的旁瓣水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115857094A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211463209.2
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相控阵阵元、光学相控阵及制作方法，其中，相控阵阵元包括：硅波导；氧化层，位于所述硅波导的上表面；氮化硅光栅，位于所述氧化层上表面，所述氮化硅光栅的光栅齿的宽度大于所述硅波导的宽度，所述氮化硅光栅的光栅体的宽度小于所述硅波导的宽度；上包层，覆盖在所述氮化硅光栅外围。本发明可以延长有效发射长度，降低发散角提高分辨率，并扩大光束的全半高宽。
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公开(公告)号：CN115220150A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210680007.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底(1)、波导区和顶部氧化层(5)；所述波导区由下至上包括第一波导层(2)、隔离层(3)和第二波导层(4)；其中，所述第二波导层(4)具有交错设置的深浅沟槽。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光栅的发射效率，同时具有有效发射长度长的优点，有助于相控阵列探测距离的提升和高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN116577073A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310625211.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供一种发射光栅有效发射长度的测量系统及测量方法，所述测量系统包括：进光耦合器、光分束器、第一出光耦合器及第二出光耦合器；其中，进光耦合器用于接收入射光束；光分束器与所述进光耦合器连接，并具有第一分光端及第二分光端，并且第一分光端与发射光栅连接，第一出光耦合器与发射光栅连接，将经发射光栅衰减后的第一分光光束出射为第一出射光束；第二出光耦合器与第二分光端连接，出射第二出射光束。本发明提供的发射光栅有效发射长度的测量系统及测量方法能够解决因工艺误差导致制备得到的发射光栅的有效发射长度与仿真设计得到的光栅长度不符，不能得到准确的发射光栅有效发射长度的问题。
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公开(公告)号：CN115220150B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210680007.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底(1)、波导区和顶部氧化层(5)；所述波导区由下至上包括第一波导层(2)、隔离层(3)和第二波导层(4)；其中，所述第二波导层(4)具有交错设置的深浅沟槽。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光栅的发射效率，同时具有有效发射长度长的优点，有助于相控阵列探测距离的提升和高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN113625394A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110879652.7
申请日：2021-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层Si3N4锥形结构辅助的边缘耦合器，包括双层的Si3N4锥形结构、Si倒锥形结构、Si波导。本发明结构实现了借助双层Si3N4锥形结构的边缘耦合，可与单模光纤耦合，降低端面模式失配，避免增加底部氧化物厚度或者局部衬底刻蚀，实现宽带操作。
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