一种波导型光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112201723B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN201910612095.5

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器及其制备方法。该波导型光电探测器包括:形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区;形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层;形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层,第二掺杂硅层为N型掺杂;形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层;形成于本征材料层表面的第三掺杂层;形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区;以及光波导,其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联,实现对不同波段的光的探测,由此,该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节;此外,能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系,同时也便于与其它器件集成。

    一种波导型光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112201723A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201910612095.5

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器及其制备方法。该波导型光电探测器包括:形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区;形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层;形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层,第二掺杂硅层为N型掺杂;形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层;形成于本征材料层表面的第三掺杂层;形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区;以及光波导,其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联,实现对不同波段的光的探测,由此,该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节;此外,能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系,同时也便于与其它器件集成。

    一种波导型光电探测器
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210136887U

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201921056964.2

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器法。该波导型光电探测器包括:形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区;形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层;形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层,第二掺杂硅层为N型掺杂;形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层;形成于本征材料层表面的第三掺杂层;形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区;以及光波导,其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联,实现对不同波段的光的探测,由此,该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节;此外,能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系,同时也便于与其它器件集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器

    公开(公告)号:CN111244221A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010061438.6

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器,涉及光电探测器技术领域。本发明的基于全介质超透镜的高速高效光电探测器,包括探测器和形成于所述探测器的上方的超表面透镜;所述探测器包括自下而上依次设置的p型层、本征层和n型层;所述超表面透镜为具有梯度相位分布的超表面结构,所述超表面透镜具有消色差的特性,所述超表面透镜构造为将垂直入射光聚焦到所述本征层。相对于现有技术,本发明协调了光电探测器的响应度和带宽之间的矛盾,具有高速高效的优点,同时解决了波长敏感性的问题;而且,本发明的光电探测器的超表面透镜是在全介质材料上实现的,具有损耗小、效率高的优点。

    一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器

    公开(公告)号:CN211428186U

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202020126108.6

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器,涉及光电探测器技术领域。本实用新型的基于全介质超透镜的高速高效光电探测器,包括探测器和形成于所述探测器的上方的超表面透镜;所述探测器包括自下而上依次设置的p型层、本征层和n型层;所述超表面透镜为具有梯度相位分布的超表面结构,所述超表面透镜具有消色差的特性,所述超表面透镜构造为将垂直入射光聚焦到所述本征层。相对于现有技术,本实用新型协调了光电探测器的响应度和带宽之间的矛盾,具有高速高效的优点,同时解决了波长敏感性的问题;而且,本实用新型的光电探测器的超表面透镜是在全介质材料上实现的,具有损耗小、效率高的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    氮化硅波导及其制备方法和半导体器件

    公开(公告)号:CN118033818A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202211425455.9

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本发明提供一种氮化硅波导及其制备方法和半导体器件,氮化硅波导的制备方法包括:提供晶圆,晶圆包括相对的第一面及第二面,于晶圆的第一面形成隔离介质层;于隔离介质层及晶圆的第二面分别形成第一氮化硅层及第二氮化硅层;刻蚀第一氮化硅层,形成氮化硅波导,并进行退火处理;刻蚀第二氮化硅层,形成应力氮化硅波导,应力氮化硅波导与氮化硅波导位置相对,且形状大小尺寸完全相同,应力氮化硅波导用于使氮化硅波导达到应力平衡;于应力氮化硅波导间隙形成氧化硅层。本发明的制备方法通过在晶圆的第二面形成与晶圆第一面的氮化硅波导完全相同的应力氮化硅波导,来平衡氮化硅波导退火后的应力。

    台阶金属结构及硅光子器件结构的制备方法

    公开(公告)号:CN116169023A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202111404497.X

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法,包括:1)在基底上形成台阶结构;2)于台阶结构上沉积隔离介质层;3)沉积金属层,顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度;4)于金属层上形成图形阻挡层;5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分,使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等;6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合,通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例,可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小,金属层的横向腐蚀尺寸更可控。

    双层隔离层的SOI衬底
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111290077B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN201811484632.4

    申请日:2018-12-06

    Abstract: 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底,所述SOI衬底包括:衬底硅层;第一隔离层,位于所述衬底硅层之上,所述第一隔离层具有第一折射率;第二隔离层,位于所述第一隔离层之上,所述第二隔离层具有第二折射率;以及顶层硅层,位于所述第二隔离层之上;其中,所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件,如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器,可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点,在光通信领域具有广泛的应用前景。

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