公开(公告)号：CN118033818A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211425455.9

申请日：2022-11-14

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 杜晓阳 ,  汪巍 ,  涂芝娟 ,  王白银 ,  陈旭

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种氮化硅波导及其制备方法和半导体器件，氮化硅波导的制备方法包括：提供晶圆，晶圆包括相对的第一面及第二面，于晶圆的第一面形成隔离介质层；于隔离介质层及晶圆的第二面分别形成第一氮化硅层及第二氮化硅层；刻蚀第一氮化硅层，形成氮化硅波导，并进行退火处理；刻蚀第二氮化硅层，形成应力氮化硅波导，应力氮化硅波导与氮化硅波导位置相对，且形状大小尺寸完全相同，应力氮化硅波导用于使氮化硅波导达到应力平衡；于应力氮化硅波导间隙形成氧化硅层。本发明的制备方法通过在晶圆的第二面形成与晶圆第一面的氮化硅波导完全相同的应力氮化硅波导，来平衡氮化硅波导退火后的应力。

公开(公告)号：CN116247108A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202111483805.2

申请日：2021-12-07

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 杜晓阳 ,  余明斌 ,  汪巍 ,  涂芝娟 ,  王白银 ,  陈旭

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1)于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2)采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3)刻蚀第二氮化硅层，以至少去除第二氮化硅层的部分厚度；4)采用等离子体增强化学气相沉积工艺于SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层；5)刻蚀第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，高应力氮化硅层用于在形成氮化硅波导时使氮化硅波导达到应力平衡。本发明不仅解决了氮化硅波导应力不平衡的问题而且还保护了晶圆正面的器件，可广泛应用于硅光子技术中。

公开(公告)号：CN118050850A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211399769.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 王白银 ,  余明斌 ,  汪巍 ,  涂芝娟 ,  杜晓阳 ,  陈旭

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/132 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明提供一种低损耗氮化硅波导及制作方法，该方法包括：提供一晶片，在低于400℃的温度下于晶片上形成下包层，并平坦化下包层的上表面；在低于400℃的温度下于下包层的上表面形成氮化硅波导芯层，并平坦化氮化硅波导芯层的上表面；采用干法刻蚀图形化氮化硅波导芯层以得到波导层；在低于400℃的温度下形成覆盖波导层并填充入波导层的间隙处的上包层。本发明通过低温薄膜生长工艺结合平坦化工艺、干法刻蚀工艺，能够制备出具有较平坦表面和侧壁的氮化硅波导，避免了高温的引入，降低工艺难度，节约工艺成本，同时能够与硅光后道工艺兼容。另外，采用湿法刻蚀工艺对波导层的侧壁粗糙度进行改善，实现较低的传输损耗。

公开(公告)号：CN116262304A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111530777.5

申请日：2021-12-14

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 王白银 ,  余明斌 ,  汪巍 ,  涂芝娟 ,  杜晓阳 ,  陈旭

IPC: B23K26/362 ,  H01L21/304 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种基于激光刻蚀工艺的器件结构的制备方法，包括：1)将多束激光母光束各自聚焦后等分处理成多个激光子光束，并将多个激光子光束进行等距排列；2)提供一控制模块，控制模块可独立控制各激光子光束；3)通过激光标记对位方法获取激光子光束的实际位置，以在控制模块建立与各激光子光束的实际位置一一对应的坐标图层；4)基于坐标图层，通过控制模块控制各子激光对目标基底进行激光刻蚀，以形成所需的器件结构。本发明能够通过控制多激光束达到无掩膜状态下进行不同位置、不同形状光波导精准刻蚀的目的，可极大降低成本，提高刻蚀速率；通过改变激光种类及能量，可实现不同深度光波导的精准刻蚀。