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公开(公告)号：CN114763019A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110030746.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B32B3/24 , B32B7/023 , B32B17/10 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B38/04 , G02B1/00
Abstract: 本发明提供一种多层聚合物薄膜三维光子晶体及其制作方法，三维光子晶体包括：基底和聚合物薄膜叠层，聚合物薄膜叠层贴合在基底表面，聚合物薄膜叠层由两种或两种以上具有不同折射率的聚合物薄膜交替地周期性排布形成，聚合物薄膜叠层具有多个垂直穿透其厚度方向的空气孔，空气孔在聚合物薄膜叠层中按晶格形式排列。本发明采用的聚合物薄膜的结构千变万化，易于成形和处理，生产制作工艺简单，成本低，利于大面积制作，且聚合物材料种类众多，折射率、密度等可以调控，为光子晶体制作提供了很大的选择空间，可使得光子晶体具有各种各样不同的性质，同时本发明可大大地降低光子晶体的制作难度。
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公开(公告)号：CN112201723B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910612095.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/153
Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器及其制备方法。该波导型光电探测器包括：形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区；形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层；形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层，第二掺杂硅层为N型掺杂；形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层；形成于本征材料层表面的第三掺杂层；形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区；以及光波导，其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联，实现对不同波段的光的探测，由此，该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节；此外，能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系，同时也便于与其它器件集成。
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公开(公告)号：CN112201723A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910612095.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/153
Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器及其制备方法。该波导型光电探测器包括：形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区；形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层；形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层，第二掺杂硅层为N型掺杂；形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层；形成于本征材料层表面的第三掺杂层；形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区；以及光波导，其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联，实现对不同波段的光的探测，由此，该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节；此外，能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系，同时也便于与其它器件集成。
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公开(公告)号：CN210136887U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921056964.2
申请日：2019-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/153
Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器法。该波导型光电探测器包括：形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区；形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层；形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层，第二掺杂硅层为N型掺杂；形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层；形成于本征材料层表面的第三掺杂层；形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区；以及光波导，其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联，实现对不同波段的光的探测，由此，该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节；此外，能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系，同时也便于与其它器件集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN111983753B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型‑条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983753A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型-条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN112305785A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910690187.5
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种基于SOI衬底的热光相移器的制备方法，包括步骤：形成图形化的SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次包括底硅层、绝缘层及顶硅层，所述SOI衬底内具有凹槽，所述凹槽的下表面与所述底硅层的下表面具有间距，所述顶硅层覆盖所述凹槽；对所述凹槽上方的所述顶硅层进行光刻刻蚀以形成硅波导；形成介质层、加热电阻及金属电极；所述介质层至少覆盖所述硅波导；所述加热电阻位于所述硅波导的上方或位于所述硅波导的一侧，所述加热电阻与所述硅波导之间具有间距；所述金属电极与所述加热电阻相连接。本发明有助于生产良率和器件性能的提高，有利于制备流程的进一步简化和生产成本的降低。
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公开(公告)号：CN113625394A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110879652.7
申请日：2021-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层Si3N4锥形结构辅助的边缘耦合器，包括双层的Si3N4锥形结构、Si倒锥形结构、Si波导。本发明结构实现了借助双层Si3N4锥形结构的边缘耦合，可与单模光纤耦合，降低端面模式失配，避免增加底部氧化物厚度或者局部衬底刻蚀，实现宽带操作。
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