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公开(公告)号：CN114355634B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN114355634A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113376772A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110697341.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于锗硅电吸收调制器的硅光收发模块，包括电芯片部分和光芯片部分，所述光芯片部分包括发射模块和接收模块；所述发射模块包括激光器、锗硅电吸收调制器、第一转换器和第一耦合器；所述锗硅电吸收调制器与所述电芯片部分相连，用于将所述激光器发出激光加载上经过所述电芯片部分的电信号成为光信号，所述光信号依次通过所述第一转换器和第一耦合器进入光传输部分；所述接收模块包括锗硅探测器、第二转换器和第二耦合器；所述锗硅探测器与所述电芯片部分相连，用于探测依次经过第二耦合器和第二转换器的光信号，并将所述光信号转换为电信号；所述锗硅电吸收调制器和所述锗硅探测器采用相同的垂直结构。本发明能够降低制造成本。
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