-
公开(公告)号：CN119053022A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310616777.X
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
Abstract: 本发明提供一种芯片埋入式印刷电路板结构及其制备方法，该结构包括：导电基板；粘合于导电基板同一表面且上表面齐平的导电金属层及芯片；绝缘材料层；重新布线层；导电通孔。导电金属层及芯片粘合于导电基板表面，不需要制备粘合芯片的深腔结构，避免了深腔制备增加的制造成本以及深腔制备的难度，同时降低芯片贴装工艺难度；另外，设置与芯片表面齐平的导电金属层，避免绝缘层层压时造成的空洞等缺陷，同时由于芯片与导电金属层表面齐平，所以形成的通孔深度一致，有效降低刻蚀通孔的难度以及后续填孔的难度；最后，设置所述导电金属层，有效降低了导电通孔的长度，缩短电路长度从而降低寄生感抗，提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN118851082A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310463170.2
申请日：2023-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
Abstract: 本发明提供一种晶圆级多层腔体堆叠的封装结构及其制备方法，以金属材料作为盖板晶圆，可直接刻蚀形成盲腔，避免真空刻蚀机台的使用，同时可以作为键合材料，避免在盖板晶圆上制备键合金属层的过程，所需的N级盲腔的每一级都是直接对同一金属晶圆刻蚀形成，有效降低工艺复杂度；另外金属具有较佳的导电属性、较小的热膨胀系数和较好的力学强度，使其具有较强的电磁屏蔽效应，且在后续加工过程中不易变形、损坏，提高产品良率；最后，采用隔离墙结构，可对堆叠腔体结构起到良好的支撑效果，条形连接脊还能提高对内层腔体的散热强度，并使堆叠腔体在垂直方向保持能量的叠加交互，起到加强能量波的信号，以及形成更加复杂的能量波形的效果。
-
公开(公告)号：CN117613016A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311752482.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L25/04
Abstract: 本发明提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属基板中，可使芯片具有更佳的保护强度；将系统集成芯片的嵌入和芯片的散热腔一次性加工成型，降低封装复杂性及成本；还可根据不同芯片的不同散热需求进行散热腔的不同设计，实现散热性能差异化的集成散热整体封装，达到针对性散热，利于提高散热效率的同时减小封装体积；散热腔的进出液开口设置在封装体侧壁，进一步降低封装结构的厚度；以晶圆级形式进行整体封装，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。
-
公开(公告)号：CN1241827C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03141997.6
申请日：2003-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种微机电芯片的密封腔体的制作方法。其特征在于在已涂覆有密封介质的下层基板上放置熔点低于或等于密封介质实现和上下基板粘接温度的支撑体，支撑体高度稍高于密封介质，再用普通的对位设备将上层基板物对准搁置在下层基板上面，然后将此结构移入真空烘箱中抽真空，真空度满足要求后加温。加温过程中，支撑体首先熔化，从而使上层基板下落至和下层基板上的密封介质接触并在随后的处理过程中和上下基板粘接从而形成密封腔体。上层基板和下层基板可以是盖板也可以是芯片，芯片在盖板上方或在盖板下方。本发明可使用常用的对位和真空烘箱设备完成微机电芯片的真空封装且形成密封的真空腔体。
-
公开(公告)号：CN1486922A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03141997.6
申请日：2003-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C5/00
CPC classification number: H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种微机电芯片的密封腔体的制作方法。其特征在于在已涂覆有密封介质的下层基板上放置熔点低于或等于密封介质实现和上下基板粘接温度的支撑体，支撑体高度稍高于密封介质，再用普通的对位设备将上层基板物对准搁置在下层基板上面，然后将此结构移入真空烘箱中抽真空，真空度满足要求后加温。加温过程中，支撑体首先熔化，从而使上层基板下落至和下层基板上的密封介质接触并在随后的处理过程中和上下基板粘接从而形成密封腔体。上层基板和下层基板可以是盖板也可以是芯片，芯片在盖板上方或在盖板下方。本发明可使用常用的对位和真空烘箱设备完成微机电芯片的真空封装且形成密封的真空腔体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119601529A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311161488.1
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种三维封装结构及其制作方法，包括于形成第二再布线层之前，于第一再布线层堆叠设置第一芯片和第二芯片，第一芯片倒装焊接于第一再布线层上，第二芯片通过引线键合与第一再布线层电连接，利用第一再布线层可使芯片之间电性耦合，由此实现芯片堆叠封装，无需通过芯片上的TSV工艺，大幅降低了芯片堆叠封装的工艺复杂度；随后，包覆于第一芯片、第二芯片和第一再布线层之上形成塑封层，通过一步塑封工序即可完成多芯片的底部填充、包裹和塑封，节省制作成本。本发明的三维封装结构包括通过烧结工艺形成的金属连接柱，有效提高通孔填充的效率，以及提升互连的良率，避免了阻挡层和导电层的沉积，以及金属层的电镀等系列复杂的工艺。
-
公开(公告)号：CN118448369A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410466461.1
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种具有石墨烯散热层的芯片封装结构及其制备方法，本发明使用较传统的具备更高导热效率的石墨烯散热材料，并通过晶圆级芯片封装技术，将石墨烯散热材料集成于芯片级封装结构中，从而在不增加封装体体积的同时，大大提高芯片散热效率。同时，由于散热层和整体散热结构均是在晶圆级封装时集成进芯片封装体，相比传统方案，其具备更高的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117612948A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311752481.7
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
Abstract: 本发明提供一种高散热芯片的晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对芯片实现立体围绕式散热，再加之直接采用金属作为芯片封装体，大大提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；另外，芯片嵌入金属晶圆中，可使芯片具有更佳的保护强度；第三，芯片的嵌入和芯片的冷却通道一次性加工成型，极大降低芯片封装的复杂性以及封装成本；第四，采用对整片金属晶圆一次性压合第一光敏性干膜实现所有第一间隙的填充，同样对整片金属晶圆一次性压合第二光敏感膜实现将冷却结构密封，极大提高封装效率且降低封装成本；最后，以晶圆级形式进行整体封装，一次性可完成整片晶圆封装，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。
-
公开(公告)号：CN116913895A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310941238.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种超导硅通孔转接板及其制备方法，所述超导硅通孔转接板包括：上凹槽、下凹槽、凹槽埋层及超导金属柱；其中，所述上凹槽及所述下凹槽分别对应设置在所述基板的上表面及下表面，且所述通孔贯穿所述上凹槽及所述下凹槽；所述凹槽埋层形成在所述上凹槽的内壁表面及所述下凹槽的内壁表面；所述超导金属柱填充设置在所述上凹槽、所述下凹槽及所述通孔内。本发明提供的超导硅通孔转接板及其制备方法能够解决现有超导硅通孔转接板中的超导金属柱因冷缩松动无法实现电连接功能的问题。
-
公开(公告)号：CN116364663A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310314050.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L23/14 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L23/373 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种基于屏蔽金属载板的芯片扇出封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供屏蔽金属载板；于屏蔽金属载板第一表面形成至少一个向屏蔽金属载板第二表面延伸的凹槽；于凹槽底壁上需要固定芯片的区域设置导电胶，放置芯片后烘烤加固，实现芯片黏贴于凹槽中；使用填充层填充凹槽中的芯片之外的区域，以对凹槽进行填塞整平；于屏蔽金属载板的第一表面及凹槽表面形成重新布线层，重新布线层与芯片电性连接，实现芯片的电性引出；于重新布线层上形成金属凸块。本发明的制备方法及封装结构有效降低了芯片扇出封装结构的工艺复杂度，降低制造成本同时提高芯片扇出封装结构的电磁屏蔽性能、散热性能及降低产品翘曲及破片风险。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.039 seconds)
