公开(公告)号：CN100501986C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710128252.2

申请日：2007-03-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  冈田和央 ,  山田纮士 ,  北川胜彦 ,  大久保登 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。

公开(公告)号：CN100474573C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200610075271.9

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。

公开(公告)号：CN100470781C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610074701.5

申请日：2003-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高井信行 ,  北川胜彦 ,  德重利洋智 ,  太田垣贵康 ,  安藤达也 ,  沖川满

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ballGrid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。

公开(公告)号：CN101304015A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810088783.8

申请日：2008-05-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  大久保登

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种耐湿性提高的半导体装置及其制造方法，且提供一种能将制造工序简略化、提高生产性的半导体装置的制造方法。本发明通过将半导体芯片等的侧面部等由厚的保护层覆盖而提供一种能防止水分等侵入的、可靠性高的CSP结构等的半导体装置及其制造方法。提供这样的生产性高的半导体装置的制造方法，通过从贴附在半导体芯片上的支承体背面侧来蚀刻支承体，能不经过切割工序而分割半导体装置。

公开(公告)号：CN1855463A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610075271.9

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。

公开(公告)号：CN1591789A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410006626.X

申请日：2004-02-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘 ,  石部真三 ,  大塚茂树 ,  山口惠一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。

公开(公告)号：CN1551347A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038457.8

申请日：2004-04-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  铃木彰 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14806 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。