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公开(公告)号：CN115312474A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210409190.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/38 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一封装件基底；第一半导体芯片，在第一封装件基底上；多个第一芯片凸块，在第一封装件基底与第一半导体芯片之间；多个第二半导体芯片，顺序地堆叠在第一半导体芯片上；模制构件，覆盖所述多个第二半导体芯片，在第一半导体芯片上；和热电冷却层，附接到第一半导体芯片的表面上。热电冷却层包括：冷却材料层，沿着第一半导体芯片的表面延伸；第一电极图案，当在平面图中观察所述半导体封装件时围绕所述多个第一芯片凸块被布置的区域，在冷却材料层中；和第二电极图案，当在平面图中观察半导体封装件时围绕第一电极图案，在冷却材料层中。
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公开(公告)号：CN109411489A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810916454.1
申请日：2018-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/34
Abstract: 提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括：第一下芯片结构；和上芯片结构，其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于第一下半导体衬底的第二侧上，第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上，并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
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公开(公告)号：CN102541120B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201110380601.6
申请日：2011-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/24
CPC classification number: G05F1/463 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L25/16 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15151 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及控制其温度的方法。该半导体器件包括半导体封装件，在所述半导体封装件中半导体芯片安装在封装件衬底上。所述半导体封装件可以包括温度测量器件和温度控制电路。所述温度测量器件可以测量所述半导体封装件的温度。所述温度控制电路基于所述温度测量器件测量得到的所述半导体封装件的温度来改变所述半导体封装件的工作速度。
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公开(公告)号：CN118676071A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410304647.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 一种半导体封装件，包括：衬底、位于衬底上的半导体裸片、覆盖半导体裸片的散热器。散热器包括上板部、基部和将上板部连接到基部的侧壁部。上板部和侧壁部限定下面的空腔。基部设置在衬底上，在水平方向上从侧壁部的外侧延伸，包括多个第一通孔，具有处于与侧壁部的底表面相同的水平高度处的底表面，并且具有在竖直方向上从基部的最下部分到最上部分的高度，该高度小于侧壁部的在竖直方向从侧壁部的最下部分到最上部分的高度。
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公开(公告)号：CN109962043B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201811561644.2
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367
Abstract: 提供了一种电子装置，包括：基板、设置在基板上的第一电子产品、布置在基板上并与第一电子产品间隔开的第二电子产品，以及覆盖第一电子产品和第二电子产品的散热组件，散热组件包括具有气密密封空间的散热腔室，所述散热腔室具有第一部分和第二部分，第一部分具有其中设置有可流动的散热流体的一个或更多个间隙，第二部分中设置有阻止散热流体流过第二部分的实心导热部件。散热腔室的第一部分具有第一热导率并且在所述电子装置的俯视图中与第一电子产品交叠，实心导热部件具有小于第一热导率的第二热导率，实心导热部件在俯视图中与第二电子产品交叠，在俯视图中，实心导热部件与第二电子产品的交叠面积大于第二电子产品的面积的50％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831885A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211104767.X
申请日：2022-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 半导体封装件包括：第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一贯通电极并且具有第一热区，第一贯通电极设置在第一热区中；热再分布芯片，热再分布芯片设置在第一半导体芯片上，具有在相对于第一半导体芯片的堆叠方向上与第一热区交叠的冷区，并且包括设置在冷区的外边界外部并且分别电连接到第一贯通电极的第一热再分布贯通电极；第二半导体芯片，第二半导体芯片设置在热再分布芯片上，具有在堆叠方向上与冷区交叠的第二热区，并且包括设置在第二热区中并且分别电连接到第一热再分布贯通电极的第二贯通电极；以及第一热阻挡层，第一热阻挡层设置在第一热区与冷区之间，其中，第一贯通电极通过经由第一热再分布贯通电极绕过冷区电连接到第二贯通电极。
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公开(公告)号：CN114068447A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110887618.4
申请日：2021-08-03
Applicant: 三星电子株式会社 , 庆熙大学校产学协力团
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , C09K5/08
Abstract: 提供了一种热界面材料和包括该热界面材料的半导体封装件。所述热界面材料可以包括液态金属以及设置在液态金属内部的细颗粒。细颗粒在其表面上不具有氧化物层。在其中包括细颗粒的液态金属中的细颗粒体积百分比为约1％至约5％。在其中包括细颗粒的液态金属的热导率等于或大于约40W/m·K。
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公开(公告)号：CN110098162A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811580748.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种包括导热层的半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一再分布部，设置在第一表面上，第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层；导热层，设置在半导体芯片的第二表面上；密封层，围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层，第二再分布部包括电连接到半导体芯片的第二上布线层。
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公开(公告)号：CN103137577B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201210511142.5
申请日：2012-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/38
CPC classification number: F25B21/02 , F25B2321/0212 , F25B2700/2107 , H01L35/32 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种热电冷却封装件及其热管理方法。所述方法可以包括：测量具有半导体芯片和热电冷却器的热电冷却封装件的温度；将热电冷却封装件的温度与目标温度进行比较；在热电冷却封装件的温度高于目标温度时对热电冷却器进行操作；以及在热电冷却封装件的温度变得低于目标温度时停止对热电冷却器的操作。
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