公开(公告)号：CN1790640A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510107641.8

申请日：2005-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底上形成隧道电介质层、电荷俘获层、电荷阻挡层和栅极的叠层结构；以及进行使用氧或CF4的等离子体或离子注入的栅极的后处理来增加形成栅极的材料的功函数。根据本发明，由于形成栅极的金属层的功函数还可以得到增加，所以可抑制在擦除操作期间的电子后隧穿。

公开(公告)号：CN1691333A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067488.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28202 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有介电多层结构的具有提高的运行特性和数据保持能力的存储器件及其制造方法。在该具有介电多层结构并具有半导体基板的存储器件中，第一杂质区域和第二杂质区域形成在半导体基板的两边，栅极结构形成在半导体基板上并与第一杂质区域和第二杂质区域相接触。栅极结构包括隧穿氧化层，形成在隧穿氧化层上的电荷存储层，形成在电荷存储层上并包括两个以上介电层的绝缘层，以及形成在绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1574360A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410064057.4

申请日：2004-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  郑渊硕

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明公开了一种具有纳米晶体层的SONOS存储器件。该SONOS存储器件包括存储型晶体管，该存储型晶体管包括在半导体衬底上具有SONOS结构的栅极。该栅极由隧道氧化物层、具有在其中俘获穿过隧道氧化物层的电荷的俘获位置的存储节点层以及栅极电极形成。存储节点层包括由彼此分开的纳米晶体构成的晶体层以俘获电荷。

公开(公告)号：CN1519952A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN03142350.7

申请日：2003-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  金柱亨

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/7888 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供了一种具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法。在该单电子晶体管中，顺序叠置第一衬底和绝缘膜。第二衬底设置在绝缘膜上，并包括源极区、沟道区和漏极区。隧穿膜位于在第二衬底上。至少两个俘获层以间隔位于隧穿膜上，在该间隔中可在沟道区中形成至少一个量子点。栅极电极接触俘获层和该俘获层之间的隧穿膜。由于该单电子晶体管简单，且包括单个栅极电极，所以其制造工艺和其工作电路可简化，且可降低功耗。

公开(公告)号：CN1881592B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610106197.2

申请日：2006-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑渊硕 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  金柱亨 ,  韩祯希 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0466 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

Abstract: 本发明提供一种编程硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)存储器件的方法。该SONOS存储器件包括衬底、在衬底上间隔开的第一和第二杂质区域、形成在第一和第二杂质区域之间该衬底上方的栅氧化物层、形成在栅氧化物层上方的俘获层、形成在俘获层上方的绝缘层、和形成在绝缘层上方的栅电极。编程SONOS器件的方法包括通过将第一电压施加到第一杂质区域、将栅电压施加到栅电极、和将第二电压施加到第二杂质区域来将数据写入到SONOS存储器件，其中第一电压是正电压，第二电压是负电压，该SONOS存储器件是电子在写入时被俘获在俘获层中的N+型存储器件。

公开(公告)号：CN100530691C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN100477266C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510106838.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。

公开(公告)号：CN100353556C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410064028.8

申请日：2004-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李正贤 ,  金汶庆 ,  黄显相

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，它包括具有以预定距离隔开的源区和漏区的半导体衬底，以及形成在衬底上的源区和漏区之间的栅极叠层，栅极叠层的一端接触源区而栅极叠层的另一端接触漏区，其中，栅极叠层包括：隧道层；掺杂以预定第一掺杂杂质、具有比氮化物(Si3N4)膜更高的介电常数的第一俘获材料膜；具有比氮化物膜更高的介电常数的第一绝缘膜；以及栅电极，所有这些膜被顺序淀积到衬底上。本发明还提供了一种能够根据掺杂浓度来有效控制俘获密度的非易失性半导体存储器件，从而在较低的工作电压下提高数据的写入/抹去速度。

公开(公告)号：CN1326244C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

公开(公告)号：CN1841774A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067355.8

申请日：2006-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  田尚勋 ,  郑渊硕 ,  李承铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的栅电极。选择绝缘膜使得第二和第三绝缘膜之一或两者的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数。