公开(公告)号：CN114121782A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110582170.5

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  安商熏 ,  李禹镇 ,  卞卿溵 ,  申定候 ,  申铉振 ,  李润姓

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供形成互连结构的方法。所述方法包括：制备包括第一金属层和第一绝缘层的基板，在所述第一金属层上选择性地形成具有sp2键合结构的碳层，在所述第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层，形成第三绝缘层以覆盖所述第二绝缘层，和形成电连接至所述第一金属层的第二金属层。

公开(公告)号：CN112582539A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011060074.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑 ,  金尚昱 ,  李润姓

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件。本文中公开了薄膜结构体，其包括在包括多个层的介电层上的第一导电层。所述多个层各自包括包含掺杂剂A的掺杂剂层和HfO2层以形成化合物HfxA1‑xOz(0

公开(公告)号：CN112582539B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202011060074.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑 ,  金尚昱 ,  李润姓

IPC: H10D1/68 ,  H10D30/60 ,  H10D64/27 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件。本文中公开了薄膜结构体，其包括在包括多个层的介电层上的第一导电层。所述多个层各自包括包含掺杂剂A的掺杂剂层和HfO2层以形成化合物HfxA1‑xOz(0

公开(公告)号：CN110854198B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910438194.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。

公开(公告)号：CN109254499B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

公开(公告)号：CN109307983A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108987463A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66015

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106340442A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610397903.7

申请日：2016-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/042 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/467 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0045 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/888

Abstract: 本发明提供了形成石墨烯纳米图案的方法、包含石墨烯的装置以及制造该包含石墨烯的装置的方法。形成石墨烯纳米图案的方法可以包括在基板上形成石墨烯层、在石墨烯层上和基板的被暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域上形成嵌段共聚物层、通过去除嵌段共聚物的多个第一区和多个第二区之一而由嵌段共聚物层形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为蚀刻掩模将石墨烯层图案化成纳米级。嵌段共聚物层可以形成为直接接触石墨烯层。嵌段共聚物层可以形成为直接接触基板结构的暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域。