包括能够确定发送路径或接收路径异常的通信模块的天线模块

    公开(公告)号:CN112913162B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN201980070218.5

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 公开了一种天线模块,包括第一天线元件、第二天线元件以及通信模块,该通信模块包括与第一天线元件连接的第一发送路径和第一接收路径;与第二天线元件连接的第二发送路径和第二接收路径;以及与第二接收路径的至少一部分连接的检测电路。通信模块可以至少基于从外部设备获得用于识别天线模块的状态的请求,通过使用第一发送路径和所述第一天线元件,输出指定信号;通过使用第二接收路径和第二天线元件,获得输出的指定信号;通过使用检测电路,识别获得的指定信号的强度;并且至少基于获得的指定信号的强度,确定天线模块是否异常。此外,通过本公开找到的各个实施例是可能的。

    半导体封装件
    22.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113871377A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202110732057.0

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 一种半导体封装件,包括:基底衬底;插件封装件,其设置在基底衬底上;以及第一半导体芯片和第二半导体芯片,它们设置在插件封装件上,插件封装件包括:第一重新分布层;桥接芯片,其包括桥接电路;以及竖直连接结构,其包括多个布线层,并且其中,第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个通过第一重新分布层电连接到桥接电路和多个布线层。

    半导体封装件
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111180411A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910897348.8

    申请日:2019-09-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件可包括连接结构,所述连接结构包括一个或更多个重新分布层。半导体芯片设置在所述连接结构上并具有有效表面和与所述有效表面背对的无效表面,所述有效表面上设置有电连接到所述重新分布层的连接垫。包封剂设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的所述无效表面的至少一部分。导体图案层嵌在所述包封剂中使得所述导体图案层的一个暴露表面从所述包封剂暴露。金属层设置在所述包封剂上并覆盖所述导体图案层的所述一个暴露表面。

    扇出型半导体封装件
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107230666B

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201710181440.5

    申请日:2017-03-24

    Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件。该扇出型半导体封装件包括:第一互连构件,具有通孔;半导体芯片,设置在第一互连构件的通孔中并具有其上设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面背对的无效表面;包封剂,包封半导体芯片的无效表面和第一互连构件的至少部分;第二互连构件,设置在第一互连构件和半导体芯片的有效表面上;及增强层,设置在包封剂上。第一互连构件和第二互连构件分别包括电连接到半导体芯片的连接焊盘的重新分布层。

    形成金属互连的方法
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1118871C

    公开(公告)日:2003-08-20

    申请号:CN98125263.X

    申请日:1998-12-11

    CPC classification number: H01L21/76856 H01L21/76843 H01L21/76882

    Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层,其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面,形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层,填充接触孔。进行第二热处理,用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙,从而防止金属互连中电阻增加。

    半导体封装件
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110875299B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN201910226894.9

    申请日:2019-03-25

    Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:连接构件,具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括位于第二表面上的第一重新分布层和位于与第一重新分布层的高度不同的高度上的至少一个第二重新分布层;半导体芯片,位于连接构件的第一表面上;钝化层,位于连接构件的第二表面上并且包括开口;UBM层,通过开口连接到第一重新分布层;以及电连接结构,位于UBM层上。钝化层和UBM层之间的界面具有第一凹凸表面,钝化层和第一重新分布层之间的界面具有第二凹凸表面,第二凹凸表面连接到所第一凹凸表面,并且第二凹凸表面的表面粗糙度大于第二重新分布层的表面粗糙度。

    包括能够确定发送路径或接收路径异常的通信模块的天线模块

    公开(公告)号:CN112913162A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201980070218.5

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 公开了一种天线模块,包括第一天线元件、第二天线元件以及通信模块,该通信模块包括与第一天线元件连接的第一发送路径和第一接收路径;与第二天线元件连接的第二发送路径和第二接收路径;以及与第二接收路径的至少一部分连接的检测电路。通信模块可以至少基于从外部设备获得用于识别天线模块的状态的请求,通过使用第一发送路径和所述第一天线元件,输出指定信号;通过使用第二接收路径和第二天线元件,获得输出的指定信号;通过使用检测电路,识别获得的指定信号的强度;并且至少基于获得的指定信号的强度,确定天线模块是否异常。此外,通过本公开找到的各个实施例是可能的。

    扇出型半导体封装件
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107887361B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201710244624.1

    申请日:2017-04-14

    Inventor: 金亨俊 李斗焕

    Abstract: 提供一种扇出型半导体封装件。半导体芯片设置在第一连接构件的通孔中。半导体芯片的至少一部分被包封剂包封。包括重新分布层的第二连接构件形成在半导体芯片的有效表面上。具有优良的可靠性的外部连接端子形成在包封剂中。

    扇出型半导体封装件
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111199947A

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201911093382.6

    申请日:2019-11-11

    Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括:半导体芯片;包封剂,覆盖所述半导体芯片;连接结构,设置在所述半导体芯片的下方;以及第一金属图案层和第二金属图案层,设置在所述半导体芯片的不同高度上,其中,所述第一金属图案层设置为电连接到诸如框架的电连接构件,设置用于封装件的通过经过所述第二金属图案层的路径的在竖直方向上的电连接。

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