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公开(公告)号：CN110896061B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910389722.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括钝化膜和保护膜，所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口，所述保护膜设置在所述钝化膜上，填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔，所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔，以使所述连接焊盘的至少一部分暴露，所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接，以具有台阶部。
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公开(公告)号：CN111146159B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201911074804.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/42
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。
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公开(公告)号：CN110875299B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910226894.9
申请日：2019-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H10B80/00
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括位于第二表面上的第一重新分布层和位于与第一重新分布层的高度不同的高度上的至少一个第二重新分布层；半导体芯片，位于连接构件的第一表面上；钝化层，位于连接构件的第二表面上并且包括开口；UBM层，通过开口连接到第一重新分布层；以及电连接结构，位于UBM层上。钝化层和UBM层之间的界面具有第一凹凸表面，钝化层和第一重新分布层之间的界面具有第二凹凸表面，第二凹凸表面连接到所第一凹凸表面，并且第二凹凸表面的表面粗糙度大于第二重新分布层的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN110875299A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910226894.9
申请日：2019-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括位于第二表面上的第一重新分布层和位于与第一重新分布层的高度不同的高度上的至少一个第二重新分布层；半导体芯片，位于连接构件的第一表面上；钝化层，位于连接构件的第二表面上并且包括开口；UBM层，通过开口连接到第一重新分布层；以及电连接结构，位于UBM层上。钝化层和UBM层之间的界面具有第一凹凸表面，钝化层和第一重新分布层之间的界面具有第二凹凸表面，第二凹凸表面连接到所第一凹凸表面，并且第二凹凸表面的表面粗糙度大于第二重新分布层的表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613602A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010115046.3
申请日：2020-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上，并且包括连接到所述第一重新分布层的连接垫；包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且包封所述半导体芯片；第二重新分布层，设置在所述包封剂上；布线结构，使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此连接并且沿堆叠方向延伸；以及散热元件，设置在所述连接结构的所述第二表面的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN110875273A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910358470.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN110875273B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910358470.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN111146159A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911074804.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/42
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。
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公开(公告)号：CN110896061A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910389722.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括钝化膜和保护膜，所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口，所述保护膜设置在所述钝化膜上，填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔，所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔，以使所述连接焊盘的至少一部分暴露，所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接，以具有台阶部。
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