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公开(公告)号：CN119999087A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071741.6
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一个实施例的电子装置可以包括：放大器电路，其用于放大特定频带的信号；过电压保护（OVP）电路，其用于如果施加到该放大器电路的电压是参考电压或更高电压，则降低施加到放大器的电压；至少一个耦合器，其用于获取从该放大器电路输出到天线的信号的一部分；存储器；以及通信处理器。该通信处理器使用该耦合器接收关于输出到该天线的信号的电压驻波比（VSWR）的信息；参考存储器上的映射数据，确定与电压驻波比相对应的参考电压（Vref）的幅值，其中，该电压驻波比（VSWR）的幅值和该过电压保护（OVP）电路工作的电压的幅值被映射在该映射数据中；并且可以根据所确定的参考电压的幅值来控制该过电压保护电路。
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公开(公告)号：CN111180409B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911063855.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层，其中，所述覆盖垫包括：中央部，设置在所述开口中；以及周边部，从所述中央部延伸到所述钝化层上并且具有尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同的晶粒。
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公开(公告)号：CN109755191B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811257876.9
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；散热构件，附着到所述半导体芯片的所述无效表面；包封剂，覆盖所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少部分；以及连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述散热构件具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN115732444A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211055697.3
申请日：2022-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体封装包括：再分布部，包括绝缘层、再分布层和再分布通孔；凸块下金属(UBM)层，在再分布部下方，并且UBM层包括在再分布部的下表面上的UBM焊盘和在UBM焊盘上以穿透绝缘层的UBM通孔；半导体芯片，在再分布部的上表面上，并电连接到再分布层；粘合层，在UBM层与绝缘层之间，并且包括导电材料；以及连接凸块，在UBM焊盘下方，并连接到UBM层。UBM焊盘具有第一直径，且UBM通孔具有小于第一直径的第二直径，以及UBM焊盘的上表面位于与绝缘层的下表面相同的高度处、或比绝缘层的下表面低的高度处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180411B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201910897348.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/60 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括连接结构，所述连接结构包括一个或更多个重新分布层。半导体芯片设置在所述连接结构上并具有有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述有效表面上设置有电连接到所述重新分布层的连接垫。包封剂设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的所述无效表面的至少一部分。导体图案层嵌在所述包封剂中使得所述导体图案层的一个暴露表面从所述包封剂暴露。金属层设置在所述包封剂上并覆盖所述导体图案层的所述一个暴露表面。
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公开(公告)号：CN110867417B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910249054.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和无效表面，所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面；热传导过孔，贯穿所述包封剂的在所述半导体芯片的所述无效表面上的至少部分，并且与所述半导体芯片的所述无效表面物理地间隔开；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。
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公开(公告)号：CN112992872A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011224033.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装件包括：具有贯通开口的框架；第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片设置在贯通开口中并且具有其上设置有第一连接焊盘的第一有源表面和与第一有源表面相对的第一无源表面，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上并且具有其上设置有第二连接焊盘的第二有源表面和与所述第二有源表面相对的第二无源表面；第一和第二凸块，分别电连接到第一连接焊盘和第二连接焊盘；第一和第二虚设凸块，分别设置在与第一凸块的水平高度相同的水平高度和第二凸块的水平高度相同的水平高度；第一和第二柱，分别电连接到第一凸块和第二凸块；连接构件，包括电连接到第一柱和第二柱中的每一者的再分布层；以及虚设柱，设置在框架与连接构件之间。
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公开(公告)号：CN110896061A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910389722.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括钝化膜和保护膜，所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口，所述保护膜设置在所述钝化膜上，填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔，所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔，以使所述连接焊盘的至少一部分暴露，所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接，以具有台阶部。
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公开(公告)号：CN110867417A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910249054.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和无效表面，所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面；热传导过孔，贯穿所述包封剂的在所述半导体芯片的所述无效表面上的至少部分，并且与所述半导体芯片的所述无效表面物理地间隔开；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。
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