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公开(公告)号：CN116129954A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211389817.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了存储器封装件、存储器装置及其操作方法。所述存储器封装件包括：印制电路板；第一存储器装置，堆叠在印制电路板上；以及第二存储器装置，堆叠在第一存储器装置上。第一存储器装置包括第一一次性可编程(OTP)块，第二存储器装置包括与第一OTP块不同的第二OTP块，并且从第一存储器装置的一侧到第一OTP块的水平距离不同于从第二存储器装置的一侧到第二OTP块的水平距离。
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公开(公告)号：CN103017259B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210347359.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F24F11/006 , F24F11/30 , F24F11/46 , F24F11/49 , F24F11/61 , F24F11/62 , F24F11/63 , F24F11/66 , F24F11/88
Abstract: 一种空调，具有室内单元和室外单元，室内单元和室外单元中的至少一个包括：通信单元；开关单元，在通信线连接到通信单元时接通，在待机模式下断开，在待机模式解除时接通；电压分配单元，在开关单元断开时分配施加到通信单元的电压；电压调节单元，调节施加到通信单元的电压，并将所调节的电压发送到通信单元；控制单元，在驱动电压被输入到控制单元时接通开关单元，在室内单元和室外单元中的至少一个进入待机模式时断开开关单元，在待机模式下基于电压分配单元分配的电压接通开关单元。
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公开(公告)号：CN111180409A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911063855.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层，其中，所述覆盖垫包括：中央部，设置在所述开口中；以及周边部，从所述中央部延伸到所述钝化层上并且具有尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同的晶粒。
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公开(公告)号：CN102694285B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210019714.8
申请日：2012-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01R12/51 , H01R4/00 , H01R13/629 , H01R43/00
CPC classification number: H01R12/7005 , H01R12/718
Abstract: 本发明提供一种数据存储装置及其制造方法。所述数据存储装置包括：印刷电路板(PCB)、连接接线片、虚设接线片和引导构件。存储器芯片安装在PCB上。连接接线片形成在PCB的第一表面上，以将PCB与第一线缆电连接。虚设接线片形成在PCB的第一表面上。引导构件形成在虚设接线片上，以引导第一线缆的插入方向。因此，可以通过相对简单的工艺以较低的成本来制造不具有单独的连接器的数据存储装置。
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公开(公告)号：CN103017259A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210347359.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F24F11/006 , F24F11/30 , F24F11/46 , F24F11/49 , F24F11/61 , F24F11/62 , F24F11/63 , F24F11/66 , F24F11/88
Abstract: 一种空调，具有室内单元和室外单元，室内单元和室外单元中的至少一个包括：通信单元；开关单元，在通信线连接到通信单元时接通，在待机模式下断开，在待机模式解除时接通；电压分配单元，在开关单元断开时分配施加到通信单元的电压；电压调节单元，调节施加到通信单元的电压，并将所调节的电压发送到通信单元；控制单元，在驱动电压被输入到控制单元时接通开关单元，在室内单元和室外单元中的至少一个进入待机模式时断开开关单元，在待机模式下基于电压分配单元分配的电压接通开关单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694285A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210019714.8
申请日：2012-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01R12/51 , H01R4/00 , H01R13/629 , H01R43/00
CPC classification number: H01R12/7005 , H01R12/718
Abstract: 本发明提供一种数据存储装置及其制造方法。所述数据存储装置包括：印刷电路板(PCB)、连接接线片、虚设接线片和引导构件。存储器芯片安装在PCB上。连接接线片形成在PCB的第一表面上，以将PCB与第一线缆电连接。虚设接线片形成在PCB的第一表面上。引导构件形成在虚设接线片上，以引导第一线缆的插入方向。因此，可以通过相对简单的工艺以较低的成本来制造不具有单独的连接器的数据存储装置。
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公开(公告)号：CN111180409B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911063855.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层，其中，所述覆盖垫包括：中央部，设置在所述开口中；以及周边部，从所述中央部延伸到所述钝化层上并且具有尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同的晶粒。
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公开(公告)号：CN108141492A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058473.4
申请日：2016-10-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/725 , G06F3/0346 , H04M1/73 , G06F3/16
Abstract: 公开了一种电子设备。根据本发明的各种实施例的电子设备包括：输入/输出接口，所述输入/输出接口能够电连接到可三维运动的附件；以及处理器，所述处理器电连接到所述输入/输出接口，其中，所述处理器能够被设置为：感测已经在所述电子设备中发生的事件，并且通过所述输入/输出接口向所述附件发送使所述附件与所述事件相对应地运行的命令。另外，通过说明书确认的各种实施例是可能的。
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公开(公告)号：CN101007365A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710004380.6
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/3436 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K2101/40 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/16225 , H05K3/3463 , H05K3/3473 , H05K3/3484 , H05K2201/10992 , Y02P70/613 , Y10T428/12708 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种接合方法、采用该方法安装半导体封装(PKG)的方法以及由此制备的基底接合结构。所述接合方法可以包括的步骤为：将包含锡和银的第一接合组合物和包含锡和铋的第二接合组合物设置为彼此接触；通过在至少170℃或更高的温度下对接合组合物执行热处理来形成接合部分。
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公开(公告)号：CN107507823B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201710443435.7
申请日：2017-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L21/02
Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。
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