公开(公告)号：CN101007365A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004380.6

申请日：2007-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金示淑 ,  柳光洙 ,  李东春 ,  崔宰熏

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K35/26 ,  H05K3/34 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B32B33/00 ,  B32B15/04

CPC classification number: H05K3/3436 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16225 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3473 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10992 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种接合方法、采用该方法安装半导体封装(PKG)的方法以及由此制备的基底接合结构。所述接合方法可以包括的步骤为：将包含锡和银的第一接合组合物和包含锡和铋的第二接合组合物设置为彼此接触；通过在至少170℃或更高的温度下对接合组合物执行热处理来形成接合部分。