公开(公告)号：CN111146159A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911074804.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  金炳镐 ,  金兑昱 ,  辛成真 ,  崔在薰 ,  洪尚石

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。

公开(公告)号：CN111613602A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010115046.3

申请日：2020-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在薰 ,  姜思尹 ,  金兑昱 ,  吴华燮 ,  崔朱伶

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上，并且包括连接到所述第一重新分布层的连接垫；包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且包封所述半导体芯片；第二重新分布层，设置在所述包封剂上；布线结构，使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此连接并且沿堆叠方向延伸；以及散热元件，设置在所述连接结构的所述第二表面的至少一部分上。

公开(公告)号：CN1184216A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN97117357.5

申请日：1997-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑昱

IPC: F16C35/063

Abstract: 一种压装轴承装置,包括转子重对中部件、压装轴承部件、一对供应轴承部件和一阻挡块。压装轴承部件包括压装作动缸和一对轴承座。该作动缸的主缸体和活塞杆分别与一对沿导轨移动的移动块相连,轴承座相对安装,与重对中于转子重对中部件上的转子的电机轴同轴,并分别与移动块相连。供应轴承部件相对安装,分别为轴承座提供轴承。挡块限制移动块的运动,使由供应轴承部件提供的轴承准确送入轴承座内。

公开(公告)号：CN111146159B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201911074804.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  金炳镐 ,  金兑昱 ,  辛成真 ,  崔在薰 ,  洪尚石

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。

公开(公告)号：CN1170777A

公开(公告)日：1998-01-21

申请号：CN97111511.7

申请日：1997-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑昱 ,  卢寿光 ,  朴晋

IPC: C23F1/08

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/3065 ,  Y10S156/916

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中,设有加热装置或清洗装置,加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗,从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备,提高了制造工序的成品率。

公开(公告)号：CN1148466C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN97111511.7

申请日：1997-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑昱 ,  卢寿光 ,  朴晋澔

IPC: C23F1/08

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/3065 ,  Y10S156/916

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中，设有加热装置或清洗装置，加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗，从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备，提高了制造工序的成品率。