公开(公告)号：CN1170777A

公开(公告)日：1998-01-21

申请号：CN97111511.7

申请日：1997-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑昱 ,  卢寿光 ,  朴晋

IPC: C23F1/08

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/3065 ,  Y10S156/916

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中,设有加热装置或清洗装置,加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗,从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备,提高了制造工序的成品率。

公开(公告)号：CN1148466C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN97111511.7

申请日：1997-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑昱 ,  卢寿光 ,  朴晋澔

IPC: C23F1/08

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/3065 ,  Y10S156/916

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中，设有加热装置或清洗装置，加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置对晶片进行清洗，从而使被送到蚀刻室外部的晶片表面上残留的反应气体不会在空气中冷凝及液化。由此不需要去除残留气体的其他工序设备，提高了制造工序的成品率。