公开(公告)号：CN113345858A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011264611.9

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金正雨 ,  金知晃 ,  卞贞洙 ,  沈钟辅 ,  李斗焕 ,  崔敬世 ,  崔正坤 ,  表声磤

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔。

公开(公告)号：CN111146161A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911042124.5

申请日：2019-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正洙 ,  河京武 ,  李智贤 ,  李斗焕 ,  崔正坤

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第一重新分布层以及贯穿所述第一绝缘层并且连接到所述第一重新分布层的第一连接过孔；半导体芯片，设置在所述连接结构上；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；第二绝缘层，设置在所述包封剂上；第二重新分布层，包括设置在所述包封剂上的信号线；以及散热层，设置在所述包封剂上并且与所述信号线电绝缘。

公开(公告)号：CN110739286A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910603835.9

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李智贤 ,  崔正坤 ,  河京武

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；包封剂，覆盖半导体芯片的至少一部分；连接结构，设置在半导体芯片的有效表面上，并包括电连接到半导体芯片的连接焊盘的一个或更多个重新分布层；表面处理层，设置在连接结构的一个或更多个重新分布层中的最下重新分布层的表面上；以及钝化层，设置在连接结构上，覆盖最下重新分布层和表面处理层中的每个的至少一部分，并且具有暴露表面处理层的至少一部分的开口。最下重新分布层的设置有表面处理层的第一表面的表面粗糙度大于最下重新分布层的与第一表面相对的第二表面的表面粗糙度，并且表面处理层具有与最下重新分布层的第一表面的表面粗糙度相对应的凹凸度。