公开(公告)号：CN102903814A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210306242.4

申请日：2012-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起范 ,  许元九 ,  崔丞佑 ,  李承宰 ,  李时赫 ,  金台勋

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，其包括彼此相对的第一及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底。

公开(公告)号：CN1118871C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98125263.X

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  金晟泰 ,  李斗焕 ,  许元九

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面，形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层，填充接触孔。进行第二热处理，用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙，从而防止金属互连中电阻增加。

公开(公告)号：CN102456792B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110350755.0

申请日：2011-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许元九 ,  申永澈 ,  金起范 ,  崔丞佑

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/025 ,  H01L2933/0016

Abstract: 提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：通过在基底上顺序地生长n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层来形成发光结构；通过溅射工艺在p型氮化物半导体层上形成透明电极；在溅射工艺之前或者在溅射工艺过程中，在执行溅射工艺的反应室的内部形成氮气气氛。在根据本发明的实施例获得的半导体发光器件的情况下，可以在通过溅射工艺制造透明电极的过程中，使因氮空位造成的电极特性的劣化现象最小化，从而能够提供具有明显改善的电学特性的透明电极。

公开(公告)号：CN103814430A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201180072891.6

申请日：2011-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申永澈 ,  金起范 ,  许元九

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3411 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/34 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/42 ,  Y02E10/50

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层，以形成包括有位于第一和第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层的发光结构；按顺序形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层以及第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光刻胶膜以暴露出部分第二导电类型氮化物半导体层；以及在将用作第二电极的反射金属层和阻挡层顺序形成在被光刻胶膜暴露出来的第二导电类型氮化物半导体层上之后去除光刻胶膜。

公开(公告)号：CN1235372A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN98125263.X

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  金晟泰 ,  李斗焕 ,  许元九

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层,其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面,形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层,填充接触孔。进行第二热处理,用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙,从而防止金属互连中电阻增加。

公开(公告)号：CN102315340B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110185733.3

申请日：2011-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  金起范 ,  许元九 ,  金荣善 ,  金起成

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件。本方法包括：提供具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的基板，并在第一主表面中形成第一不平坦结构；在基板的第一主表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有开口区域的掩模，从而使牺牲层的上表面的一部分暴露；通过经由开口区域蚀刻牺牲层和基板而在基板上形成第二不平坦结构；从基板上去除牺牲层和掩模；以及在基板的第一不平坦结构和第二不平坦结构上形成发光堆。

公开(公告)号：CN101236954A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810005304.1

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许元九 ,  朴栋均 ,  朴济宪 ,  曹永周 ,  罗圭泰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/11521

Abstract: 一种半导体装置的配线结构，所述半导体装置的配线结构包括绝缘间层、插塞和导电图案。绝缘间层在基板上具有穿过其的开口。插塞包括钨并填充开口。插塞通过利用源气体的反应的沉积过程而形成。导电图案结构与插塞接触，并且包括第一钨层图案和第二钨层图案。第一钨层图案通过沉积过程形成。第二钨层图案通过物理气相沉积(PVD)过程形成。